壓接式IGBT器件內(nèi)部電場(chǎng)分析與絕緣設(shè)計(jì).pdf

1、壓接式IGBT模塊具有通流能力大、無(wú)焊接點(diǎn)、無(wú)引線、低熱阻、失效短路等特點(diǎn)，是換流閥中的一個(gè)關(guān)鍵性元件，在很多領(lǐng)域，如換流站、電力機(jī)車等，有著非常重要的作用。壓接式IGBT模塊與常規(guī)焊接式IGBT模塊在封裝結(jié)構(gòu)上有較大差異，現(xiàn)有壓接式IGBT產(chǎn)品的主要有全壓接和彈性壓接兩種技術(shù)方案，其封裝工藝在實(shí)現(xiàn)方式上也完全不同于常規(guī)焊接式IGBT模塊。
　　在壓接式IGBT的整體制備流程中，對(duì)子模組的耐壓測(cè)試是至關(guān)重要的步驟，關(guān)系到組裝好的壓

2、接式IGBT能否正常投入運(yùn)行。然而，在對(duì)壓接式IGBT子模組進(jìn)行耐壓測(cè)試時(shí)，IGBT子模組無(wú)法達(dá)到芯片的額定水平，出現(xiàn)了電場(chǎng)集中和放電的現(xiàn)象，而單獨(dú)測(cè)試芯片時(shí)，芯片能夠達(dá)到耐壓要求，因此考慮存在子模組框架結(jié)構(gòu)引起電場(chǎng)集中問(wèn)題的可能性，框架結(jié)構(gòu)的缺陷會(huì)導(dǎo)致壓接式IGBT使用過(guò)程中的失效。
　　本論文通過(guò)分析壓接式IGBT產(chǎn)品子模組結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)，利用仿真軟件COMSOL Multiphysics，建立子模組的仿真模型，進(jìn)行了電場(chǎng)仿真，