壓接型IGBT串聯(lián)技術(shù)研究.pdf

1、在壓接型IGBT（Insulation Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）串聯(lián)電路中，探求通用性強、操作簡單、均壓效果好的均壓措施，設(shè)計隔離電壓等級更高的驅(qū)動隔離電源，是現(xiàn)階段需要解決的兩個關(guān)鍵難題。本文通過理論分析、仿真驗證和實驗研究相結(jié)合的方法，對壓接型IGBT串聯(lián)技術(shù)進行了系統(tǒng)研究，主要工作如下:
　　1.利用Saber軟件搭建IGBT串聯(lián)仿真電路，結(jié)合理論分析，系統(tǒng)研究了門極驅(qū)動電阻和門極

2、驅(qū)動信號等因素對IGBT串聯(lián)電路均壓的影響，揭示了門極驅(qū)動電阻、門極驅(qū)動信號等因素與IGBT開通關(guān)斷階段集電極電壓之間的關(guān)系;
　　2.針對有源電壓控制法參考電壓波形不易生成且通用性差的現(xiàn)狀，提出了一種自動生成參考電壓波形的自適應(yīng)均壓法，在工作1的基礎(chǔ)上，利用Saber軟件搭建了自適應(yīng)均壓電路，仿真結(jié)果表明了自適應(yīng)均壓法具有良好的均壓效果。該方法無需提前設(shè)置參考電壓波形，通用性強，操作方便，具有良好的應(yīng)用前景;
　　3.設(shè)計

3、了一款20kV隔離電壓等級的驅(qū)動隔離電源，針對該電源的多個參數(shù)探索了更全面的設(shè)計方法，對驅(qū)動隔離電源進行了初步試驗驗證，試驗結(jié)果表明了驅(qū)動隔離電源滿足20kV電壓等級的IGBT串聯(lián)電路的需求;
　　4.針對10kV壓接型IGBT串聯(lián)型電壓源換流閥進行了試驗研究，該換流閥應(yīng)用了本文設(shè)計的自適應(yīng)均壓電路和驅(qū)動隔離電源，試驗結(jié)果表明，自適應(yīng)均壓電路具有良好的均壓效果，驅(qū)動隔離電源可以保證IGBT串聯(lián)型換流閥可靠運行，驗證了壓接型IGBT