IGBT串聯(lián)均壓技術(shù)的應(yīng)用研究.pdf

1、功率開關(guān)是脈沖功率系統(tǒng)中最為重要的器件之一，電感儲能型脈沖功率系統(tǒng)要想獲得理想的高功率陡前沿的快脈沖輸出，斷路開關(guān)是其發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。在系統(tǒng)比較各式斷路開關(guān)的基礎(chǔ)上，IGBT因其具有輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，工作頻率高，開關(guān)特性好等優(yōu)點成為脈沖功率開關(guān)的最佳選擇之一。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展，單管IGBT的耐壓等級相對有限使其應(yīng)用和發(fā)展受到了極大的限制，而IGBT串聯(lián)使用可以迅速滿足裝置的電壓等級要求。故而，研究IGBT串聯(lián)應(yīng)用具有很重

2、要的實際意義。
　　IGBT串聯(lián)應(yīng)用是切實可行的。應(yīng)用OrCAD/PSpice軟件仿真分析說明了低量級的IGBT串聯(lián)應(yīng)用替代單管大功率IGBT在開關(guān)動作時間、開關(guān)能量損耗、集電極過壓以及工作頻率等方面均擁有較大的優(yōu)勢。對串聯(lián)IGBT運行過程中出現(xiàn)的靜態(tài)、動態(tài)分壓不均衡的現(xiàn)象，文中從IGBT個體的性能差異以及外圍電路參數(shù)的不一致(吸收電容、柵極驅(qū)動電阻、IGBT的寄生電感和柵極驅(qū)動信號延時等)角度進行了仿真分析說明。系統(tǒng)的總結(jié)了已有