外場(chǎng)作用下混合自旋Blume-Capel模型的臨界性質(zhì)和補(bǔ)償行為.pdf

1、本文在有效場(chǎng)理論和切斷近似的框架內(nèi)，研究了外場(chǎng)作用下混合自旋Blume-Capel模型的臨界性質(zhì)和補(bǔ)償行為。 首先主要研究了三模外場(chǎng)下混合自旋BCM的臨界性質(zhì)和磁化行為，在T-H空間負(fù)晶場(chǎng)和三摸外場(chǎng)濃度的變化對(duì)三臨界點(diǎn)，二級(jí)相變以及基態(tài)的外場(chǎng)簡(jiǎn)并都有很大的影響，T-D空間，一定條件下三臨界點(diǎn)呈現(xiàn)弧形曲線或者相圖會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)三臨界點(diǎn)，系統(tǒng)不僅在M-T空間可能存在單雙溫度補(bǔ)償點(diǎn)，在M-H空間當(dāng)三模外場(chǎng)濃度，溫度以及負(fù)晶場(chǎng)滿足一定條件時(shí)

2、同樣會(huì)存在單雙磁補(bǔ)償點(diǎn)。 其次，研究了二模外場(chǎng)下鍵稀疏混合自旋系統(tǒng)的BCM的性質(zhì)，其相圖與補(bǔ)償行為表現(xiàn)出了新的特征。T-D空間體系總是存在三臨界點(diǎn)，而在T-H空間三臨界點(diǎn)僅存在于負(fù)晶場(chǎng)較小或較大的范圍內(nèi)，鍵稀疏的引入能夠抑制三臨界點(diǎn)。文中還討論了鍵滲流閾值時(shí)晶場(chǎng)和二模外場(chǎng)對(duì)誘導(dǎo)磁有序的影響，系統(tǒng)在M-H空間可能會(huì)出現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)磁補(bǔ)償點(diǎn)，鍵稀疏對(duì)一個(gè)或兩個(gè)磁補(bǔ)償點(diǎn)的變化范圍有影響。 最后，討論了外場(chǎng)與橫場(chǎng)作用混合自旋BCM