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文檔簡介
1、本文在有效場理論和切斷近似的框架內,研究了外場作用下混合自旋Blume-Capel模型的臨界性質和補償行為。 首先主要研究了三模外場下混合自旋BCM的臨界性質和磁化行為,在T-H空間負晶場和三摸外場濃度的變化對三臨界點,二級相變以及基態(tài)的外場簡并都有很大的影響,T-D空間,一定條件下三臨界點呈現(xiàn)弧形曲線或者相圖會出現(xiàn)兩個三臨界點,系統(tǒng)不僅在M-T空間可能存在單雙溫度補償點,在M-H空間當三模外場濃度,溫度以及負晶場滿足一定條件時
2、同樣會存在單雙磁補償點。 其次,研究了二模外場下鍵稀疏混合自旋系統(tǒng)的BCM的性質,其相圖與補償行為表現(xiàn)出了新的特征。T-D空間體系總是存在三臨界點,而在T-H空間三臨界點僅存在于負晶場較小或較大的范圍內,鍵稀疏的引入能夠抑制三臨界點。文中還討論了鍵滲流閾值時晶場和二模外場對誘導磁有序的影響,系統(tǒng)在M-H空間可能會出現(xiàn)一個或兩個磁補償點,鍵稀疏對一個或兩個磁補償點的變化范圍有影響。 最后,討論了外場與橫場作用混合自旋BCM
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