鍵稀疏和隨機(jī)晶場(chǎng)Blume-Emery-Griffiths模型的鐵磁材料的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì).pdf

1、本文在有效場(chǎng)理論的框架內(nèi),基于簡(jiǎn)立方晶格討論了自旋為S=1的鍵稀疏和隨機(jī)晶場(chǎng)Blume-Emery-Griffiths(BEG)模型的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì)。鍵稀疏、隨機(jī)混合(±)晶場(chǎng),偶極與偶極相互作用與交換相互作用的比率(α)之間的相互影響使BEG模型展示出一些新的現(xiàn)象。當(dāng)模型中同時(shí)考慮鍵稀疏和隨機(jī)晶場(chǎng)兩種無序分布,所給出的相圖顯示二級(jí)相變線中存在由雙三臨界點(diǎn)確定的一級(jí)相變區(qū),一級(jí)相變區(qū)將隨鍵稀疏濃度增加而擴(kuò)大,晶場(chǎng)的兩種不同隨機(jī)行為強(qiáng)

2、力地影響一級(jí)相變區(qū)和重入相變。當(dāng)α>0時(shí),在T-D平面內(nèi),當(dāng)滿足特定的無序條件時(shí),相圖上出現(xiàn)了三臨界點(diǎn)和相變盲區(qū)。值得注意的是,當(dāng)引入強(qiáng)鍵稀疏時(shí),隨著隨機(jī)晶場(chǎng)濃度的變化,相變線上出現(xiàn)了單三臨界點(diǎn),甚至雙三臨界點(diǎn)。當(dāng)α<0時(shí),對(duì)于所有的鍵稀疏和隨機(jī)晶場(chǎng)濃度條件下都不會(huì)出現(xiàn)三臨界點(diǎn),與α>0相比,相圖中的盲區(qū)明顯擴(kuò)大。在外場(chǎng)下,鍵稀疏和隨機(jī)晶場(chǎng)兩種無序因子共同作用使磁化和磁化率曲線呈現(xiàn)出一種不規(guī)則的行為。例如,在較大的負(fù)晶場(chǎng)區(qū)域中,在χ-T