多壁碳納米管修飾電極在流動(dòng)注射不可逆雙安培法中的應(yīng)用研究.pdf

1、本論文主要研究了碳納米管修飾電極的制備及其在流動(dòng)注射不可逆雙安培法中的應(yīng)用。具體的研究?jī)?nèi)容如下：
　　 1．在N，N-二環(huán)已基碳酰亞胺（DCC）存在介質(zhì)下，通過(guò)酰氨鍵使羧基化的多壁碳納米管（MCNTs）與L-半胱氨酸（L-Cys）縮合，功能化的MCNTs通過(guò)S-Au鍵自組裝（SAMs）到金電極表面，制備了修飾電極（MCNTs-L-Cys-Au/SAMs-CME），并對(duì)電極的表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行電化學(xué)表征。研究表明，該修飾電極對(duì)對(duì)乙酰氨基

2、酚的電化學(xué)氧化具有明顯的催化作用。同時(shí)，對(duì)其催化氧化的機(jī)理進(jìn)行了初步探討。該氧化峰峰電流與對(duì)乙酰氨基酚濃度在2.0×10-6～2.0×10-4 mol·L-1和2.0x10-4～1.0×10-3 mol·L-1范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，其線性回歸方程分別為i（nA）=8.21×107 C+200（r=0.9984，n=9），i（nA）=2.30×107 C+1.00×104（r=0.9938，n=4），方法檢出限為1.0×10-6 mol

3、·L-1（S/N=3），電流值RSD為2.7％（n=20）。對(duì)對(duì)乙酰氨基酚片中的對(duì)乙酰氨基酚含量的測(cè)定，結(jié)果比較滿意。
　　 2．研究了雙氯芬酸鈉在殼聚糖（CS）/多壁碳納米管（MCNTs）修飾蠟浸石墨電極（GE）上的電化學(xué)行為及測(cè)定，并對(duì)其進(jìn)行顯微表征。該修飾電極對(duì)雙氯芬酸鈉具有明顯的電催化氧化作用。該氧化峰峰電流與雙氯芬酸鈉濃度在8.0×10-7～2.0×104 mol·L-1范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，其線性回歸方程為i（nA

4、）=1.16×107C-14.8（r=0.9995， n=11），方法檢出限為2.0×10-7mol·L-1（S/N=3），電流值RSD為4.8％（n=20）。對(duì)雙氯芬酸鈉片中的雙氯芬酸鈉的含量的測(cè)定，結(jié)果比較滿意。
　　 3．以玻碳電極為基底成功制備了聚L-蘇氨酸poly（L-Threonine）/多壁碳納米管（MCNTs）修飾電極（p-L-Thr/MCNTs/GCE）。研究了鹽酸氯丙嗪在該修飾電極上的電化學(xué)行為。該修飾電極對(duì)

5、鹽酸氯丙嗪具有明顯的電催化氧化作用，并對(duì)其進(jìn)行顯微表征。該氧化峰峰電流與鹽酸氯丙嗪濃度在2.0×10-6～4.0×10-5 mol·L-1和4.0×10-5～1.0×10-3 mol·L-1范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，其線性回歸方程為i（nA）=9.73×107C-50.0（r=0.9993，n=6）， i（nA）=2.33×107C+4.00×103（r=0.9984，n=7），方法檢出限為4.0×10-7mol·L-1（S/N=3），電

6、流值RSD為2.4％（n=20）。對(duì)鹽酸氯丙嗪片中的鹽酸氯丙嗪的含量的測(cè)定，結(jié)果比較滿意。
　　 4．在玻碳電極上成功的制備了多壁碳納米管（MCNTs）修飾玻碳電極（GCE）。研究表明，該修飾電極對(duì)Fe3+具有明顯的電催化還原作用，并對(duì)其進(jìn)行顯微表征。該還原峰峰電流與Fe3+濃度在4.0×10-3～10×10-1 mg·mL-1范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，其線性回歸方程為 i（nA）=1.45×105C-583（r=0.9992，n