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文檔簡介
1、本論文首先采用“向碳納米管接枝”方法將不同分子量的聚乙二醇(PEG)接枝到多壁碳納米管(MWNT)表面,合成PEG修飾的碳納米管(MWNT-PEG)。并利用異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷(IPTES)的-NCO官能團與MWNT-PEG的羥基之間的反應(yīng),對MWNT-PEG進一步修飾,合成IPTES硅烷偶聯(lián)劑修飾的碳納米管(MWNT-IPTES)。然后分別以MWNT-IPTES和MWNT-PEG為模板,采用“溶膠-凝膠”法制備SiO2納米管。此外
2、,對MWNT-PEG與α-環(huán)糊精之間的包合作用也進行了研究。
(1)MWNT-PEG及MWNT-IPTES合成。首先利用過量的甲苯-2,4-二異氰酸酯(TDI)與羥基化碳納米管(MWNT-OH)反應(yīng),合成表面含有-NCO基團的MWNT(MWNT-TDI)。再將其和過量PEG(分子量分別為400,1000,2000和4000 g/mol)反應(yīng),制備系列MWNT-PEG。然后將MWNT-PEG和硅烷偶聯(lián)劑IPTES反應(yīng),對MW
3、NT-PEG進一步功能化,合成MWNT-IPTES。采用透射電子顯微鏡(TEM)、熱失重分析(TGA)和紫外-可見光譜(UV-vis)對MWNT-PEG及MWNT-IPTES進行了表征。
(2)以MWNT為模板的SiO2納米管的制備。分別以MWNT-IPTES和MWNT-PEG為模板,以正硅酸乙酯(TEOS)為原料,在堿性條件下采用“溶膠-凝膠”方法合成SiO2納米管,并經(jīng)熱處理除去MWNT模板得到中空的SiO2納米管。探
4、討了反應(yīng)條件對模板法合成SiO2納米材料之形態(tài)的影響。采用紅外光譜(FTIR)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和電子能譜(EDX)對SiO2納米管的結(jié)構(gòu)和形態(tài)進行了研究。結(jié)果表明以MWNT-IPTES和MWNT-PEG為模板可合成出的中空SiO2納米管,SiO2納米管的直徑在35~80 nm之間,管壁很薄,約6 nm。此外,以純粹的PEG或MWNT-OH為模板都不能得到管狀的SiO2。
(3)MWNT-
5、PEG與α-環(huán)糊精(α-CD)包合作用研究。在水溶液中,利用α-CD與MWNT表面接枝PEG分子鏈之間的相互作用,制備出MWNT-PEG與α-環(huán)糊精的包合物(α-CD/MWNT-PEG Ics)。采用紅外光譜(FTIR)對α-CD/MWNT-PEG Ics的結(jié)構(gòu)進行了表征;采用紫外-可見光光譜(UV-vis)對包合物的形成過程進行了跟蹤,結(jié)果表明包合物的形成時間與鍵接到MWNT表面的PEG的分子量有關(guān)。分子量為2000和4000 g/m
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