ITO薄膜光學性能的研究.pdf

1、透明導電氧化物（TransparentConductingFilms簡稱TCO）薄膜（尤其是IndiumTinOxide簡稱ITO薄膜），既有高電導率又有高可見光透射率，因此被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、平板顯示器、氣敏元件、熱屏蔽、電磁屏蔽等領(lǐng)域。現(xiàn)階段有多種工藝可用于制備ITO薄膜，比如：噴霧熱解法、溶膠—凝膠法、化學氣相沉積法、真空蒸發(fā)法、脈沖激光沉積法、磁控濺射法等。磁控濺射法以其優(yōu)良的性能，以大規(guī)模地應(yīng)用在工業(yè)生產(chǎn)中。隨著顯示技術(shù)的

2、不斷發(fā)展，對可見光透射率的要求也越來越高，這也大大促進了人們對ITO薄膜可見光透射率的研究。其中在保證高電導率的情況下，如何進一步的提高ITO薄膜可見光透射率以成為熱門的研究課題。
　　本文根據(jù)光學單層薄膜理論，利用C++程序設(shè)計語言，編寫出了計算薄膜透射率的獨立程序，并將該程序應(yīng)用到單層ITO薄膜透射率的計算中。并由計算程序得到：在可見光范圍內(nèi)，單層ITO薄膜的平均透射率達到93％。為了驗證理論計算正確與否，采用直流磁控濺射鍍膜

3、工藝，在浮法玻璃基底上制備ITO透明導電薄膜，對所得ITO薄膜的物理特性進行了研究。濺射所用靶材為高純度陶瓷ITO靶材，在本底真空中，充入氬氣作為工作氣體，保持基底溫度和濺射功率穩(wěn)定。實驗結(jié)果表明：ITO薄膜具有In2O3的立方多晶結(jié)構(gòu)，主要成分為In,Sn,O，表面較為平整，Eg的值約為3.86eV，可見光區(qū)域的透射率高達90%。程序計算的結(jié)果和實際測量得到的ITO薄膜透射率比較接近，微小偏差源于制備過程中結(jié)晶度、致密度、缺陷等因素的