KNSBN與SBN電光薄膜光學(xué)特性研究.pdf

1、鎢青銅型結(jié)構(gòu)鉀鈉鈮酸鍶鋇(KNSBN)和鈮酸鍶鋇(sBN)電光薄膜材料，具有電光系數(shù)大、機械性能好、無90°疇以及成本低、成膜面積大、易集成等優(yōu)點，是一類性能優(yōu)良的無鉛環(huán)保電光薄膜材料，在微電子、光電子、光信息處理等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，受到了人們的廣泛重視和研究。準(zhǔn)確檢測電光薄膜的電光、光學(xué)性能參數(shù)是進行電光器件應(yīng)用的前提條件，所以，選擇開展KNSBN和SBN電光薄膜的電光及光學(xué)特性研究具有重要意義。 本文在分析、總結(jié)鐵電、

2、電光薄膜材料的生長制備及應(yīng)用研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，著重對脈沖激光沉積(PLD)法生長制備出的鉀鈉鈮酸鍶鋇(KNSBN)和鈮酸鍶鋇(SBN)電光薄膜，用X-射線衍射儀、掃描電鏡、激光顯微拉曼光譜儀、自搭建的電光效應(yīng)測量系統(tǒng)進行了測量研究，得到了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、厚度、拉曼譜、光學(xué)常數(shù)和電光系數(shù)等重要參數(shù)，其主要內(nèi)容如下： (1)用激光脈沖沉積(PLD)法在MgO(001)和玻璃襯底上成功地生長、制備出了KNSBN和SBN電光薄膜，且生長

3、在MgO(001)襯底上的KNSBN和SBN電光薄膜為外延膜，薄膜的(001)取向是沿著MgO襯底表面垂直方向生長的； (2)對生長在MgO(001)襯底上的外延KNSBN和SBN電光薄膜在200-900nm波段范圍的透射光譜進行了測量，通過對薄膜透射光譜的振蕩曲線分析計算得到了KNSBN和SBN電光薄膜的光學(xué)常數(shù)，研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)外延KNSBN和SBN電光薄膜的折射率符合單電子模型，且與KNSBN和SBN晶體的折射率非常相近；