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文檔簡(jiǎn)介
1、21世紀(jì)以來(lái),在能源、環(huán)境問(wèn)題日趨嚴(yán)重的形式下,我國(guó)將太陽(yáng)電池的研發(fā)和推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化列入相應(yīng)的國(guó)家計(jì)劃,同時(shí)增加了對(duì)太陽(yáng)電池的投入。CdTe太陽(yáng)電池作為一種高效、廉價(jià)、穩(wěn)定的薄膜太陽(yáng)電池,受到了廣泛重視。 在CdTe太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中,CdTe多晶薄膜的腐蝕是一道重要的工序。有報(bào)道的腐蝕溶液有:溴甲醇(BM)、HNO<,3>:H<,3>PO<,4>(NP)和K<,2>CrO7:H<,2>SO<,4>(KD)等。通常采用的是BM腐蝕
2、,但是溴甲醇腐蝕液極易揮發(fā),具有刺激性氣味,污染嚴(yán)重,不適合工業(yè)化生產(chǎn)。本文采用溴甲醇(BM)和硝磷酸(NP)兩種腐蝕方法腐蝕CdTe薄膜。BM腐蝕液濃度為溴0.02ml+100m1,腐蝕時(shí)間為lOs左右。NP溶液濃度為硝酸1%+磷酸70%+去離子水29%,腐蝕時(shí)間為60s。對(duì)NP腐蝕后的CdTe薄膜,我們通過(guò)AFM分析,發(fā)現(xiàn)CdTe相對(duì)于腐蝕前晶界變寬:通過(guò)XRD分析,發(fā)現(xiàn)了六方相的Te(101)衍射峰。 我們制備了5種背接觸
3、結(jié)構(gòu)的10個(gè)系列的電池。通過(guò)XRD和XPS分析,證實(shí)了對(duì)于NP腐蝕,含Cu背接觸的樣品在退火后生成了Cu<,x>Te(1 4、性參數(shù)普遍比其它電池要好。通過(guò)1/C<'2>-V特性曲線的分析,我們發(fā)現(xiàn)NP腐蝕的性能較好的電池在偏壓0-0.5V范圍內(nèi),存在一個(gè)較為明顯的背結(jié)。通過(guò)對(duì)比,我們發(fā)現(xiàn)采用NP腐蝕后,以ZnTe/ZnTe:Cu作為背接觸,經(jīng)190℃退火制備的電池表現(xiàn)出較好的性能。Cu與Te反應(yīng)生成了Cu<,x>Te相,Cu<,x>TeI有利于長(zhǎng)波吸收,并改善背接觸。同時(shí),ZnTe能阻擋Cu擴(kuò)散到主結(jié)從而保護(hù)了p-n結(jié),避免了Cu形成旁路,消除了電流的橫向收
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