CdTe多晶薄膜太陽(yáng)電池的制備及性能分析.pdf

1、采用化學(xué)水浴法在透明導(dǎo)電玻璃上沉積厚度不同的CdS薄膜，分別以制備好的CdS薄膜為襯底利用真空蒸發(fā)法制備純CdTe薄膜及Sb摻雜CdTe薄膜，在進(jìn)行T=400℃，t=30min的熱處理過(guò)程中引入不同量的CdCl2對(duì)薄膜進(jìn)行氯化處理，薄膜利用NP溶液進(jìn)行腐蝕。采用雙源共蒸法制備純ZnTe和Y摻雜的ZnTe薄膜，同時(shí)制備純CdTe及Sb摻雜CdTe薄膜太陽(yáng)電池。
　　利用X射線衍射、原子力顯微鏡、X射線光電子能譜儀、掃描電子顯微鏡等測(cè)

2、試手段分別對(duì)CdS、純CdTe及摻Sb的CdTe薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、化學(xué)成分等性能進(jìn)行了測(cè)試，利用太陽(yáng)能電池光譜性能測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試電池的轉(zhuǎn)換效率。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，不同厚度CdS薄膜的表面平整性、致密性、表面化學(xué)元素比及透光性有一定的差別，綜合考慮薄膜的致密和透過(guò)率最終確定了CdS薄膜沉積時(shí)間為30min。XRD測(cè)試表明純碲化鎘薄膜為沿(111)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)的立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)，薄膜中摻入銻元素未改變薄膜的物相結(jié)構(gòu)但使薄膜的結(jié)晶

3、性更好，晶粒尺寸明顯增大，利用NP溶液腐蝕之后，兩種薄膜表面均出現(xiàn)了Te的(101)衍射峰，薄膜表面呈現(xiàn)富碲現(xiàn)象，同時(shí)，薄膜表面比未腐蝕時(shí)平整、致密，但腐蝕之后的摻銻碲化鎘薄膜粗糙度增加。氯化對(duì)多晶CdTe及摻Sb的CdTe薄膜的腐蝕有一定的影響，并且不同的氯化條件對(duì)純碲化鎘薄膜的影響比較嚴(yán)重，隨著氯化鎘量的不同，薄膜腐蝕后表面富碲現(xiàn)象也有所差別，1.0gCdCl2氯化處理的薄膜富碲最為顯著，不同的氯化條件對(duì)摻Sb的CdTe薄膜影響不大