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文檔簡介
1、隨著太陽電池技術(shù)的發(fā)展，硅太陽能電池的厚度越來越薄，薄的硅片厚度也帶來了更多的長波光損失，要想繼續(xù)提高電池的轉(zhuǎn)化效率，就對背面的載流子濃度提出了更高的要求。鋁背場（Al-BSF）作為一種背面的高濃度摻雜層，在降低背面復(fù)合速率方面有十分明顯的效果。然而由于Al在Si的溶解度較低，很難得到一個較高的鋁背場摻雜濃度，這也在一定程度上限制了晶體硅太陽電池的轉(zhuǎn)化效率。硼在Si中有較高的溶解度，通過在鋁漿料中摻雜硼可以得到一個較高的背場摻雜濃度，但
2、是硼擴散對燒結(jié)溫度的要求較高，需要找到合適的燒結(jié)溫度。
本文我們通過在鋁漿中摻雜硼制備鋁背場，研究了不同的硼摻雜量及燒結(jié)條件對鋁背場深度、載流子濃度及電學(xué)性能的影響;通過ALD沉積氧化鋁薄膜，研究了氧化鋁薄膜對方塊電阻不同樣品的鈍化效果，及氧化鋁薄膜對摻硼鋁背場的鈍化效果。
經(jīng)過實驗，我們得到了以下結(jié)論:(1)在鋁漿中摻雜硼可以明顯提高鋁背場的摻雜濃度，達到1019 atoms/cm3，摻雜硼也可以提高P+層深度和開
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