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文檔簡介
1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,電子元器件的尺寸不斷減小,其尺寸已經(jīng)減小到納米尺度。在這種尺度下,宏觀熱輸運(yùn)理論已經(jīng)不能完全解釋能量傳輸問題,因此界面熱阻成為人們研究的重點(diǎn)。本文主要采用晶格動力學(xué)方法模擬了面心立方晶格界面和硅鍺界面的界面熱導(dǎo),并分析在金剛石結(jié)構(gòu)下界面兩側(cè)原子失配對聲子透射系數(shù)和界面熱阻的影響。
本文建立面心立方結(jié)構(gòu)的動力學(xué)矩陣,通過對動力學(xué)矩陣本征方程的分析得到對稱方向上的色散關(guān)系,計(jì)算了面心立方晶體中聲子態(tài)密度和不同界
2、面之間的透射譜密度和界面熱導(dǎo)。
通過建立金剛石結(jié)構(gòu)的動力學(xué)矩陣,采用SW作用勢和Brenner作用勢分別得到了硅鍺的力常數(shù)和色散曲線,選擇了適合本文需要的作用勢。得到了長聲學(xué)支聲子在界面處的透射系數(shù)并研究了透射系數(shù)與入射角度的關(guān)系并且驗(yàn)證了在(100)方向上金剛石結(jié)構(gòu)的四重對稱性。
本文研究了硅鍺之間的界面熱導(dǎo),結(jié)果表明界面熱導(dǎo)在低溫階段隨著溫度升高迅速增加,但是當(dāng)溫度為硅德拜溫度0.25倍以后增加緩慢。并通過與分子
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