帶電荷激子在雙層量子點(diǎn)中的性質(zhì).pdf

1、激子束縛第二個(gè)空穴(帶正電荷激子)以及激子束縛于帶正電荷施主雜質(zhì)，都是激子概念的延續(xù)。這兩種特殊的束縛態(tài)來(lái)源于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料制備技術(shù)的不斷進(jìn)步，已經(jīng)被物理學(xué)家所發(fā)現(xiàn)。由于植根于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料，使得它們具有特殊的研究和應(yīng)用價(jià)值。 本論文敘述了典型的少體物理方法一諧振子乘積基展開(kāi)法的具體運(yùn)用，并引入Talmi-moshinsky變換系數(shù)，為解決二維拋物量子點(diǎn)中的三體相互作用帶來(lái)方便。在此基礎(chǔ)上，研究了雙層拋物勢(shì)量子點(diǎn)中帶正電

2、荷激子的關(guān)聯(lián)能與量子點(diǎn)的束縛勢(shì)大小的變化關(guān)系，以及量子點(diǎn)束縛勢(shì)、量子點(diǎn)間距、空穴有效質(zhì)量與束縛能的關(guān)系。我們的結(jié)果表明量子點(diǎn)間距為0.16nm和0.32nm，束縛勢(shì)hw<,0>大小為1.85meV時(shí)，空穴有效質(zhì)量越大，帶正電荷激子的基態(tài)束縛能越小，甚至減為負(fù)值。同時(shí)計(jì)算出帶正電荷激子在單個(gè)量子點(diǎn)中的基態(tài)束縛能屬于一般的帶正電荷激子的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的范圍內(nèi)。 采用同樣的方法研究了磁場(chǎng)下帶正電荷施主雜質(zhì)量子點(diǎn)中激子的束縛能與量子點(diǎn)束縛勢(shì)、