金摻雜氧化銦納米膜三甲胺傳感器的性能研究.pdf

1、In2O3作為常見的一種寬禁帶半導體，因為具有透明導電的特性、電阻率低、對很多有毒氣體敏感的特點，成為了一種良好的氣敏材料。傳統(tǒng)的In2O3材料氣敏測試性能較差。材料納米化和摻雜可以使其氣敏性能得到提高。
　　本文采用溶膠凝膠法制備了In2O3納米膜，而且進行了納米金顆粒的摻雜。在傳感器設計中，首先使用溶膠凝膠法制備In2O3溶膠和納米金摻雜量為0.2wt％、0.4wt％、0.6wt％、0.9wt％、1.2wt％的In2O3溶膠，

2、將質(zhì)量好的0.6wt％、0.9wt％、1.2wt％的In2O3溶膠分別旋涂在制備好的叉指電極上，在高溫熱處理后，制備出了In2O3的氣敏傳感器。然后通過氣敏測試系統(tǒng)對其氣敏性能進行測試。
　　經(jīng)過氣敏測試發(fā)現(xiàn)，In2O3納米膜的傳感器對三甲胺氣體具有很高的靈敏度度，且工作溫度為140℃。金摻雜的In2O3納米膜對三甲胺的靈敏度要高于未進行摻雜的In2O3的靈敏度。這說明納米金的摻雜可以提高In2O3納米膜的傳感器的靈敏度。而且納米