基于STM32的微弧氧化電源的研究與實(shí)現(xiàn).pdf

1、微弧氧化是一種在鎂、鋁、鈦及其合金表面原位生長出氧化膜層的新技術(shù)。利用該技術(shù)生長的氧化膜層與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。研究微弧氧化技術(shù)的一大關(guān)鍵是研究微弧氧化電源。微弧氧化電源的性能直接影響著氧化膜層性能的好壞。本文根據(jù)電源的技術(shù)要求，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)以STM32微控制器為核心的微弧氧化電源，并對提高微弧氧化電源的效率進(jìn)行了探討研究，具體工作內(nèi)容如下：
　　首先，介紹了微弧氧化

2、技術(shù)和微弧氧化電源發(fā)展的過程與現(xiàn)狀，并指出了微弧氧化電源的發(fā)展方向。又詳細(xì)介紹了微弧氧化技術(shù)的工藝特點(diǎn)、電源主電路的結(jié)構(gòu)以及對電源控制系統(tǒng)的要求。
　　其次，完成了電源軟件和硬件的設(shè)計(jì)，并按所做設(shè)計(jì)調(diào)試了電源電路。硬件電路的設(shè)計(jì)主要包括主電路和控制系統(tǒng)電路的設(shè)計(jì)。軟件的設(shè)計(jì)主要包括驅(qū)動程序、采集程序、保護(hù)程序、人機(jī)界面程序的編寫。
　　再次，在驗(yàn)證電源功能的基礎(chǔ)上，針對提高電源效率引入軟開關(guān)技術(shù)。詳細(xì)介紹了軟開關(guān)和硬開關(guān)的原