高速數(shù)字電路的微波擾亂及電磁防護(hù).pdf

1、隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的快速發(fā)展，高速數(shù)字電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)已成為當(dāng)今電子設(shè)計(jì)的主流，復(fù)雜的電磁環(huán)境對高速、高密度和系統(tǒng)化的數(shù)字電路系統(tǒng)的影響日益顯著，導(dǎo)致電子系統(tǒng)和設(shè)備的正常工作受到擾亂、中斷、甚至敏感器件永久毀傷。為了避免上述情況，需要深入研究微波干擾信號(hào)對高速數(shù)字電路系統(tǒng)產(chǎn)生影響的過程、機(jī)制及防護(hù)?？紤]到高速數(shù)字電路系統(tǒng)的復(fù)雜性，因此有必要對高速數(shù)字電路系統(tǒng)的基本電路單元進(jìn)行微波擾亂效應(yīng)的研究。
　　本文以CMOS反相器為研究對象，首先

2、根據(jù)電磁場耦合理論，建立了高功率(HPM)輻照下電磁干擾的等效源模型，設(shè)計(jì)了采用直接注入法注入微波干擾信號(hào)的阻抗匹配電路，進(jìn)而模擬了不同頻率、功率微波干擾對CMOS反相器的影響，總結(jié)了相應(yīng)的效應(yīng)規(guī)律，為研究復(fù)雜CMOS電路的效應(yīng)規(guī)律提供一定參考。其次，采用了一種基于負(fù)載特性的動(dòng)態(tài)參數(shù)新計(jì)算方法，計(jì)算了微波干擾下CMOS反相器的輸出電壓、輸出電流、功耗等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)的變化，深刻揭示了微波干擾信號(hào)對CMOS反相器的影響機(jī)制。最后，搭建了電磁