版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、’蠆1 D 2 1 1 0 2飯旦大學(xué)學(xué)校代碼:1 0 2 4 6學(xué) 號;0 4 3 0 5 2 ∞8碩 士 學(xué) 位 論 文( 專業(yè)學(xué)位)o .1 3 u I l lD a 蝴銅互連工藝的研究和改善院系( 所) : 微電子研究院專姓業(yè): 電子與通信工程名: 沈悅指導(dǎo)教師: 姜國寶副罄授完成日期: 2 0 0 6 年9 月2 0 日復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文 第5 頁0 .13 啪D a m a s c u s 銅互連工藝的研究和改善摘要在半導(dǎo)
2、體工藝的發(fā)展中,金屬連線工藝從鋁互連制程轉(zhuǎn)到銅互連制程是一個旅程碑式的進步,它配合低l o wK 材料例如F S G 的應(yīng)用,使得器件的時間延遲受金屬連線的影響降低到可接受的范圍。而且鑲嵌法在銅工藝種的應(yīng)用更是解決了銅難以蝕刻的問題,使得半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸不斷縮小。本論文通過研究D a m a s c u s 銅互連工藝線上所遇到的i n 一1 i n e 的d e f e c t 展開研究,對其形成的機理和線上制程的缺陷進行分析。本
3、論文通過i n 一1 i n e 的K L A 掃描,以及S E MC U T 對d e f e c t 的原理,以及可能的改進措施進行表征和分析,并且通過S T R 和M S T R 的i n 一1 i n e 參數(shù)收集與分析,對改進方式的可行性與可靠性進行驗證。D a m a s c e n e 工藝中,對于V i a 的保護很重要,V i a 內(nèi)部的光阻將保證V i a 的底部不會被e t c h 穿,填滿V i a 的光阻仍然由
4、P h o t o 區(qū)T r a c k 機臺旋轉(zhuǎn)涂膠法涂布完成,因此光阻厚度的u n i f o r m i t y 尤為重要,V i a 中的光阻填充不充分,或是w a f e r 各區(qū)域的厚度不均,都將可能導(dǎo)致V i a 內(nèi)的光阻被e t c h 盡。在密集型的V i ap a t t e r n 區(qū)域,由于所需要填入的阻擋用光阻量比一般的p a t t e r n 區(qū)域更多,因此這對光阻的圖布要求很高,形成新的挑戰(zhàn)。本文討論了4
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 0.13um銅互連工藝的研究和改善
- 0.13微米銅互連工藝鼓包狀缺陷問題的解決
- 0.13微米銅互連工藝派工系統(tǒng)控制等待時間和降低缺陷的研究
- 氮化硅在集成電路銅互連中的應(yīng)用研究和改善.pdf
- 基于銅納米棒的低溫互連工藝研究.pdf
- 銅互連電鍍工藝研究及設(shè)備改進.pdf
- 銅互連技術(shù)的擴散阻擋層工藝研究.pdf
- 銅互連線電遷移和錫須生長研究.pdf
- 基于納米銅介質(zhì)材料的銅-銅互連力學(xué)及電學(xué)性能研究.pdf
- 銅互連中的電流擁擠效應(yīng)研究.pdf
- 銅互連工藝中的鋁接觸塊失效分析及其工藝整合優(yōu)化.pdf
- 銅互連電遷移壽命模型研究.pdf
- 集成電路銅互連工藝中先進擴散阻擋層的研究.pdf
- 銅互連工藝中FS薄膜質(zhì)量控制與優(yōu)化.pdf
- 銅互連中擴散阻擋層的研究.pdf
- 0.13μm柵極刻蝕工藝研究
- 銅微互連線的原子遷移失效研究.pdf
- 基于0.13μmcmos和sigehbt工藝的壓控振蕩器的研究和設(shè)計
- ULSI銅互連中電遷移可靠性研究及其工藝整合優(yōu)化.pdf
- 銅互連工藝缺陷模式及其對集成電路良率的影響.pdf
評論
0/150
提交評論