0.13um銅互連工藝的研究和改善

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文0.13um銅互連工藝的研究和改善姓名：奚民偉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：電子與通信工程指導(dǎo)教師：張衛(wèi)20070331第一章緒論內(nèi)容提要一1 ) 半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展； 2 ) 銅制程工藝概述； 3 ) 介紹本論文內(nèi)容安排1 ．1 引言電子工業(yè)在過(guò)去的5 0 年間迅速增長(zhǎng)，這一增長(zhǎng)一直為微電子學(xué)革命所驅(qū)動(dòng)。1 9 4 7 年1 2 月，由B a r d e e m 和B r a t t a i n 發(fā)明了第一個(gè)點(diǎn)接觸式的晶體

2、管。其后經(jīng)過(guò)S h o c k l e y 等人的研究，晶體管器件理論與制造技術(shù)得到迅速發(fā)展。在此基礎(chǔ)上，第一個(gè)集成電路( I C ，I n t e g r a t e dC i r c u i t ) 由T I 公司的J ．K i l b y 在1 9 5 8 年9 月發(fā)明。這個(gè)發(fā)明被看成是劃時(shí)代的，J ．K i l b y 也因此在2 0 0 0 年被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。其后經(jīng)過(guò)幾十年幾代人的努力，I c 在制造技術(shù)，器件物理，電路

3、和系統(tǒng)等方面取得了巨大的成就，I c 的集成度也急劇增加，由開(kāi)始的S S I( S m a l lS i z eI n t e g r a t e d ，小規(guī)模集成) 到L S I ( L a r g eS i z eI n t e g r a t e d ，大規(guī)模集成) ，再到現(xiàn)在V L S I ( V e r yL a r g eS i z e I n t e g r a t e d ，超大規(guī)模集成) 和U L S I( U l t

4、 r aL a r g e S i z e I n t e g r a t e d ，甚大規(guī)模集成) ，S O C ( S y s t e mO n C h i p ，系統(tǒng)集成芯片) ，晶體管的柵尺寸在過(guò)去的3 0 年中大約減小了2 0 0 倍( 從1 9 7 0 年代的l O u m 到當(dāng)前的6 5 r i m ) 。晶體管和特征尺寸的按比例縮小使得晶體管的密度指數(shù)型的增長(zhǎng)。晶體管尺寸按比例縮小最大的成就是晶體管的性能得到了迅猛的提高