蒸發(fā)時間及功率對蒸發(fā)法制備cdznte薄膜性能的影響_第1頁
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1、密級公開學號081573畢業(yè)設計（論計（論文）文）蒸發(fā)時間及功率對蒸發(fā)法制備蒸發(fā)時間及功率對蒸發(fā)法制備CdZnTe薄膜性能的影響薄膜性能的影響院（系、部）：材料科學與工程系姓名：顧春芳院（系、部）：材料科學與工程系姓名：顧春芳年級：高084班年級：高084班專業(yè)：高分子材料科學與工程專業(yè)：高分子材料科學與工程指導教師：曾冬梅指導教師：曾冬梅教師職稱：講師教師職稱：講師2012年06月06日北京蒸發(fā)時間及功率對蒸發(fā)法制備CdZnTe薄膜性

2、能的影響I摘要摘要Cd1xZnxTe（簡稱為CZT）是近年發(fā)展起來的一種性能優(yōu)異的新型半導體材料，可廣泛應用于太陽能、天文、醫(yī)學等領域。CdZnTe薄膜可以采用多種方法制備其中真空蒸發(fā)法制備的薄膜具有純度高、缺陷少、表面光滑、厚度均勻可控和附著力強等優(yōu)點。蒸發(fā)薄膜的力學、光學等性能與薄膜的生長和結構有關。本課題利用四源共蒸發(fā)設備制備CdZnTe薄膜，研究蒸發(fā)時間及功率對CdZnTe薄膜表面形貌、厚度及性能的影響，制備出晶粒尺寸均勻、致密

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