2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、低維硅基納米材料由于性能優(yōu)越并且可以和現(xiàn)有的硅基平面工藝相兼容而具有很廣泛的應(yīng)用前景。本文對(duì)于兩種低維硅基納米材料——Si/SiC納米復(fù)合薄膜和Si納米線分別進(jìn)行了制備方法、性能和機(jī)理的研究。 通過(guò)射頻交替濺射或共濺射的兩種方式和后續(xù)的退火制備了Si納米晶鑲嵌在SiC基體中的Si/SiC納米復(fù)合薄膜。交替濺射得到的多層膜結(jié)構(gòu)的Si/SiC納米復(fù)合薄膜在1200℃以上退火后出現(xiàn)了大約分別位于352 nm的紫外發(fā)射帶和位于468 n

2、m的藍(lán)光發(fā)射帶，并且隨著退火溫度的升高增強(qiáng)。高分辨透射電鏡觀察到Si納米晶的形成，傅立葉紅外吸收光譜顯示形成了Si-O-C鍵。分析認(rèn)為位于468nm的藍(lán)光發(fā)射帶是由于退火形成的Si納米晶的量子限制效應(yīng)導(dǎo)致的，而位于352nm的紫外發(fā)射帶是來(lái)自于退火形成的Si-O-C的復(fù)雜化合物。共濺射得到的薄膜在退火后出現(xiàn)了紫外發(fā)光峰，推測(cè)也有可能是由于退火形成的Si-O-C鍵導(dǎo)致的。 Si納米線是通過(guò)對(duì)把單晶硅片封閉在一個(gè)小區(qū)域中、高溫常壓、

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