2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、為了開發(fā)SiC基非紫外光控器件，可用對(duì)可見光和近紅外光有較強(qiáng)吸收的Si作為光吸收層構(gòu)成Si/SiC異質(zhì)結(jié)。本文針對(duì)制備方法，探索用金屬誘導(dǎo)晶化非晶硅法制備Si/SiC異質(zhì)結(jié)的可行性，并研究改善Si薄膜結(jié)晶品質(zhì)的方法。
　　首先利用PECVD系統(tǒng)，在SiC襯底上制備a-Si:H薄膜。薄膜的生長溫度區(qū)間為65～300℃，生長時(shí)間45min。樣品的紅外吸收譜表明Si-H的組態(tài)為SiH2，且隨著溫度的升高，a-Si:H薄膜中的氫含量減少。

2、紫外可見光分光光度計(jì)測(cè)試結(jié)果表明在65～300℃的溫度區(qū)間內(nèi)，薄膜的淀積速率先減小后增大再減小。由此選定a-Si:H薄膜的生長溫度為250℃，此溫度下a-Si:H薄膜有較小的含氫量且淀積速率較快，45min的薄膜厚度為350nm。
　　然后，在a-Si:H薄膜上磁控濺射淀積一層Ni金屬薄膜，最后在不同溫度下利用Ni將a-Si:H薄膜誘導(dǎo)晶化成多晶Si薄膜，以制備Si/SiC異質(zhì)結(jié)。用裸膜和覆蓋有金屬誘導(dǎo)膜的樣品在相同條件(600℃

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