2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文利用X射線衍射儀（XRD）、差示掃描量熱儀（DSC）結(jié)合俄歇電子能譜（AES）和原子力顯微鏡（AFM）分析了非晶Co-Si薄膜的晶化和相變過(guò)程，以及Zr作為添加元素對(duì)晶化和相變過(guò)程的影響。結(jié)果表明：Co-Si-Zr濺射非晶薄膜熱處理時(shí)，同時(shí)析出CoSi、CoSi2晶化相，與Co-Si濺射薄膜不同；至特定溫度，CoSi相逐漸向CoSi2相轉(zhuǎn)變。晶化初始相取決于系統(tǒng)的有效形成熱和非晶薄膜的短程結(jié)構(gòu)因素。摻雜Zr元素提高了形核勢(shì)壘，增

2、大了晶化激活能，抑制了晶化相的形核和長(zhǎng)大，使非晶Co-Si-Zr薄膜起始晶化溫度比Co-Si薄膜有所提高。然而，溫度超過(guò)750℃時(shí)，隨著Zr的阻礙作用的減弱和ZrSi2的形成，加速了晶化相CoSi向CoSi2的轉(zhuǎn)變。中間層Zr對(duì)Co-Si薄膜晶化和相變過(guò)程有著與摻雜Zr相似的影響，影響程度的差異是因?yàn)镃o-Si薄膜中的Zr含量不同。Co-Si-Zr薄膜經(jīng)高溫?zé)崽幚砗?，表面平整。Zr作為中間層則起了擴(kuò)散阻礙層的作用，延遲了Co向Si基底

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