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1、為了拓展SiC材料在非紫外光電領(lǐng)域的應(yīng)用，同時(shí)實(shí)現(xiàn)SiC大功率電力電子器件的非紫外光光控，本課題組首次提出了在SiC襯底上淀積對(duì)非紫外光有明顯響應(yīng)的Si薄膜，制備Si/SiC異質(zhì)結(jié)。本文系統(tǒng)介紹了用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)法在SiC的C面制備Si/SiC異質(zhì)結(jié)的初步工作，以及用XRD、SEM、TEM等分析測(cè)試方法對(duì)在不同工藝條件下制備的實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行特性表征，在此基礎(chǔ)上研究了生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)時(shí)間、生長(zhǎng)壓力和硅烷流量對(duì)Si/SiC異質(zhì)結(jié)
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