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文檔簡介
1、采用實(shí)驗(yàn)室自行設(shè)計(jì)的FDJ600 型高真空多功能薄膜沉積設(shè)備,通過離子束濺射、磁過濾陰極弧等離子體沉積、射頻耦合感應(yīng)離子源相復(fù)合的方法在單晶硅表面沉積了nc-TiN/a-Si3N4 單層、多層納米復(fù)合薄膜;考察了不同沉積參數(shù)對薄膜的結(jié)構(gòu)及機(jī)械性能的影響。主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:
1.不同Si 含量(at%)的nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合薄膜的制備與機(jī)械性能研究
采用離子束濺射與磁過濾陰極弧等離子體共
2、沉積技術(shù)在單晶硅片(400)表面沉積了不同Si 含量(at%)的TiN/Si3N4 納米復(fù)合薄膜;分析了復(fù)合薄膜的成分和結(jié)構(gòu),測定了其硬度、彈性模量、摩擦系數(shù)、磨損率及膜基結(jié)合強(qiáng)度,探討了Si 含量對薄膜結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能的影響。結(jié)果表明,Si 含量對TiN/Si3N4 納米復(fù)合薄膜的表面形貌、結(jié)構(gòu)及微觀機(jī)械性能都有較大的影響。薄膜中Ti、Si分別以納米氮化鈦(nc-TiN)和非晶氮化硅(a-Si3N4)形式存在,其中TiN 沿(200)面
3、擇優(yōu)取向;納米硬度測試表明,薄膜硬度處于22~26 Gpa 范圍內(nèi),薄膜與氮化硅偶件對摩時(shí)的摩擦系數(shù)在0.13~0.17之間。當(dāng)薄膜的Si 含量為10.9%時(shí),其硬度最大(25.6 Gpa),摩擦系數(shù)、磨損率、膜基結(jié)合強(qiáng)度最低。隨著Si 含量的繼續(xù)增加,薄膜的摩擦系數(shù)、磨損率和膜基結(jié)合強(qiáng)度又逐漸增加。由此可知薄膜的微觀機(jī)械性能與Si 含量密切相關(guān)。
2.偏壓對nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)與機(jī)械性能的影響
4、
采用離子束濺射與磁過濾陰極弧等離子體共沉積技術(shù)在單晶硅片(400)表面沉積了nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合薄膜,測定了不同基底負(fù)偏壓下制備的nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合薄膜的表面形貌、結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能,探討了基底負(fù)偏壓對其成分、結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能的影響。結(jié)果表明,基底負(fù)偏壓對nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)和機(jī)械性能有較大影響。隨著基底負(fù)偏壓的增加,薄膜的沉積速率大幅度降低。在-100 V基底
5、負(fù)偏壓下制備的薄膜的Si 含量(at%)最高、Ti 含量(at%)最低。在0 ~-300 V 范圍內(nèi),隨著負(fù)偏壓的增加,薄膜中的TiN 擇優(yōu)取向面由(200)轉(zhuǎn)變?yōu)椋?11);當(dāng)負(fù)偏壓達(dá)到-300 V 時(shí),薄膜中的TiN 轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷螒B(tài)。薄膜中的TiN以多晶形式存在,柱狀晶在-100 V 偏壓下變得較為致密、均勻。非晶Si3N4 包覆在TiN 納米晶粒周圍,擇優(yōu)取向較為明顯。當(dāng)基底負(fù)偏壓為-100 V 時(shí),薄膜的硬度達(dá)到46 Gpa,出
6、現(xiàn)超硬效應(yīng),此時(shí)薄膜的氧含量最低。與此同時(shí),-100 V 時(shí)薄膜的表面粗糙度降至最低,膜基結(jié)合強(qiáng)度最高;隨著偏壓的繼續(xù)增加,薄膜的表面粗糙度逐漸增大、膜基結(jié)合強(qiáng)度逐漸降低。綜合看來,偏壓-100V 時(shí)制備的nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合薄膜的綜合性能最佳。
3.Nc-TiN/a-Si3N4 納米復(fù)合多層薄膜的制備與機(jī)械性能研究
采用離子束濺射與磁過濾陰極弧等離子體共沉積技術(shù)在單晶硅片(400)表面沉積
7、了硬度由低到高的nc-TiN/a-Si3N4 梯度多層納米復(fù)合薄膜,研究了其表面形貌、內(nèi)部結(jié)構(gòu)及機(jī)械性能。結(jié)果表明,與納米復(fù)合單層膜相比,納米復(fù)合多層梯度膜均存在超硬現(xiàn)象。
隨著較高硬度單層厚度的增大(對應(yīng)多層膜的層差由-15 nm 增大至15 nm),薄膜的納米硬度逐漸增加,且在層差為10 nm 時(shí)薄膜的硬度最高。與此同時(shí),層差對薄膜的微觀機(jī)械性能和摩擦磨損性能也有較大的影響。隨著層差的增加,薄膜的膜基結(jié)合強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)、
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