applied physics letters

1、石墨烯異石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電子傳輸質(zhì)結(jié)構(gòu)的電子傳輸雖然氮化硼底物被用來(lái)實(shí)現(xiàn)電子在石墨烯雖然氮化硼底物被用來(lái)實(shí)現(xiàn)電子在石墨烯場(chǎng)效晶體管中高速電子遷移，但是目前尚場(chǎng)效晶體管中高速電子遷移，但是目前尚不清楚其他分層的二維晶體是否比石墨烯不清楚其他分層的二維晶體是否比石墨烯的電子性能優(yōu)越，在這篇文章里面，我們的電子性能優(yōu)越，在這篇文章里面，我們將研究在石墨烯表面的硒化鎵和過(guò)渡金屬將研究在石墨烯表面的硒化鎵和過(guò)渡金屬(二硫化鎢、二硫化鉬晶體）對(duì)石墨

2、烯電子二硫化鎢、二硫化鉬晶體）對(duì)石墨烯電子質(zhì)量的影響，根據(jù)原子力顯微鏡顯示表質(zhì)量的影響，根據(jù)原子力顯微鏡顯示表明，相比傳統(tǒng)的二氧化硅基質(zhì)這些晶體表明，相比傳統(tǒng)的二氧化硅基質(zhì)這些晶體表面粗糙程度很低其方均根值也只有面粗糙程度很低其方均根值也只有0.1nm，結(jié)果表明石墨烯設(shè)備具有很高的電，結(jié)果表明石墨烯設(shè)備具有很高的電子遷移率。子遷移率。在這篇文章中，我們研究各種各樣的基質(zhì)在這篇文章中，我們研究各種各樣的基質(zhì)中石墨烯的電子質(zhì)量，而中石墨烯的

3、電子質(zhì)量，而ws2和wos2也表也表現(xiàn)出類似的化學(xué)和結(jié)構(gòu)性能，在電子遷移現(xiàn)出類似的化學(xué)和結(jié)構(gòu)性能，在電子遷移率中率中Gws異質(zhì)結(jié)構(gòu)顯示出是異質(zhì)結(jié)構(gòu)顯示出是4倍的倍的Gwos導(dǎo)體性能，使得在選擇其中一個(gè)的時(shí)候，導(dǎo)體性能，使得在選擇其中一個(gè)的時(shí)候，ws2比較有吸引力，我們觀察到在飽和導(dǎo)電比較有吸引力，我們觀察到在飽和導(dǎo)電性能也高于閥值電壓。硒化鎵在我們的環(huán)性能也高于閥值電壓。硒化鎵在我們的環(huán)境中比較少量，在石墨烯設(shè)備制造上，硒境中比較少量，