2017年浙江理工大學(xué)990數(shù)字電路考研專(zhuān)業(yè)課真題分享

1、第1頁(yè)，共5頁(yè)浙江理工大學(xué)2012017年碩士年碩士研究生研究生招生招生考試考試初試初試試題試題考試科目：考試科目：數(shù)字電路數(shù)字電路代碼：代碼：990（請(qǐng)考生在答題紙上答題，在此試題紙上答題無(wú)效）（請(qǐng)考生在答題紙上答題，在此試題紙上答題無(wú)效）一、填空題（每空1.5分，共15分）。1.DACAB?在四變量卡諾圖中有()個(gè)小方格是“1”。2.如果對(duì)鍵盤(pán)上108個(gè)符號(hào)進(jìn)行二進(jìn)制編碼，則至少要（）位二進(jìn)制數(shù)碼。3AD轉(zhuǎn)換的過(guò)程可分為（）、保持、

2、量化、編碼4個(gè)步驟。4.在CMOS門(mén)電路中，輸出端能并聯(lián)使用（或線與）的電路有（）；5.8線—3線優(yōu)先編碼器74LS148的優(yōu)先編碼順序是7I、6I、5I、…、0I，輸出為2Y1Y0Y。輸入輸出均為低電平有效。當(dāng)輸入7I6I5I…0I為11010101時(shí)，輸出2Y1Y0Y為（）。6圖1為與非門(mén)組成的基本SR鎖存器，為使鎖存器處于“置1”狀態(tài)，其SR應(yīng)為（）。&&QQSR1G2GμF01.0R148762CvCVDD15vO3555R2D

3、RvI1vI2DISC≥1≥11vIvoVDDRCG1G2CdRd圖1圖2圖37.將一個(gè)包含有32768個(gè)基本存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)16位為一個(gè)字的ROM。該ROM有（）根地址線。8由555定時(shí)器構(gòu)成的電路如圖2所示，該電路的名稱是（）。9已知某電路的輸入輸出波形如圖3所示，則該電路可能為（）。10門(mén)電路參數(shù)輸入輸出參數(shù)VIH（min）、VIL（max）、VOH（min）和VOL（max）由小到大的排列正確的是（）。二、選擇題在每小題列

4、出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，請(qǐng)將其代碼填寫(xiě)在題后的括號(hào)內(nèi)（本大題共10小題，每小題3分，共30分）。1下列四個(gè)數(shù)中與十進(jìn)制數(shù)（163）10不相等的是。A（A3）16B（10100011）2C（000101100011）8421BCDD（100100011）82若已知YXYYZZYXY????，判斷等式????))()((ZYZYYXYYX)(?成立的最簡(jiǎn)單方法是依據(jù)。A代入規(guī)則B對(duì)偶規(guī)則C反演規(guī)則D反演定理3.對(duì)CMOS門(mén)

5、電路，以下說(shuō)法是錯(cuò)誤的。A輸入端懸空會(huì)造成邏輯出錯(cuò)B輸入端接510kΩ的大電阻到地相當(dāng)于接高電平C噪聲容限與電源電壓有關(guān)D輸入端接510Ω的小電阻到地相當(dāng)于接低電平第3頁(yè)，共5頁(yè)3.圖7（a）所示為L(zhǎng)STTL門(mén)電路，其電氣特性曲線如圖7（b）所示。請(qǐng)?jiān)敿?xì)分析在4種不同給定條件下圖（a）所示電路的工作原理，并將電壓表的讀數(shù)填入表1中。假設(shè)電壓表的內(nèi)阻≥100kΩ。（8分）14.30.21.100ACBK&ENvOVvIVvIVR110kΩ

6、V（a）（b）圖7表1ABCK電壓表讀數(shù)V001100110101斷開(kāi)斷開(kāi)閉合閉合4圖8所示電路是由3線8線譯碼器74HC138及門(mén)電路構(gòu)成的地址譯碼電路。試分析電路工作原理，并列出此譯碼電路每個(gè)輸出對(duì)應(yīng)的地址關(guān)系表，要求輸入地址A7A6A5A4A3A2A1A0用十六進(jìn)制表示。（10分）&A1A2A0A0A1A2E1E2E3Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7A3≥1A4A5A6A7圖85圖9所示的電路是用施密特觸發(fā)器構(gòu)成的多諧振蕩器，電源