電磁場(chǎng)與電磁波習(xí)題分析

1、第二章第二章（選擇）1、將一個(gè)帶正電的帶電體A從遠(yuǎn)處移到一個(gè)不帶電的導(dǎo)體B附近，導(dǎo)體B的電勢(shì)將（A）A升高B降低C不會(huì)發(fā)生變化D無法確定2、下列關(guān)于高斯定理的說法正確的是（A）A如果高斯面上E處處為零，則面內(nèi)未必?zé)o電荷。B如果高斯面上E處處不為零，則面內(nèi)必有靜電荷。C如果高斯面內(nèi)無電荷，則高斯面上E處處為零。D如果高斯面內(nèi)有凈電荷，則高斯面上E處處不為零3、以下說法哪一種是正確的（B）A電場(chǎng)中某點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的方向，就是試驗(yàn)電荷在該點(diǎn)所受的

2、電場(chǎng)力方向B電場(chǎng)中某點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度的方向可由E=Fq?確定，其中q0為試驗(yàn)電荷的電荷量，q0可正可負(fù)，F(xiàn)為試驗(yàn)電荷所受的電場(chǎng)力C在以點(diǎn)電荷為中心的球面上，由該點(diǎn)電荷所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度處處相同D以上說法都不正確4、當(dāng)一個(gè)帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí)（D）A表面曲率較大處電勢(shì)較高B表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高C導(dǎo)體內(nèi)部的電勢(shì)比導(dǎo)體表面的電勢(shì)高D導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)電勢(shì)差等于零5、下列說法正確的是（D）A場(chǎng)強(qiáng)相等的區(qū)域，電勢(shì)也處處相等B場(chǎng)強(qiáng)為零處

3、，電勢(shì)也一定為零C電勢(shì)為零處，場(chǎng)強(qiáng)也一定為零D場(chǎng)強(qiáng)大處，電勢(shì)不一定高6、就有極分子電介質(zhì)和無極分子電介質(zhì)的極化現(xiàn)象而論（D）A、兩類電介質(zhì)極化的微觀過程不同，宏觀結(jié)果也不同B、兩類電介質(zhì)極化的微觀過程相同，宏觀結(jié)果也相同C、兩類電介質(zhì)極化的微觀過程相同，宏觀結(jié)果不同D、兩類電介質(zhì)極化的微觀過程不同，宏觀結(jié)果相同7、下列說法正確的是（D）（A）閉合曲面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都為零時(shí)，曲面內(nèi)一定沒有電荷B閉合曲面上各點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度都為零時(shí)，曲面內(nèi)電荷的

4、代數(shù)和必定為零C閉合曲面的電通量為零時(shí)，曲面上各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度必定為零。D閉合曲面的電通量不為零時(shí)，曲面上任意一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度都不可能為零8、根據(jù)電介質(zhì)中的高斯定理，在電介質(zhì)中電位移矢量沿任意一個(gè)閉合曲面的積分等于這個(gè)曲面所包圍自由電荷的代數(shù)和。下列推論正確的是（D）A.一定為零B.一定不為零C.不能確定6、空氣中某一球形空腔，腔內(nèi)分布著不均勻的電荷，其電荷體密度與半徑成反比，則空腔外表面上的電場(chǎng)強(qiáng)度為（C）A、大于腔內(nèi)各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度B、小

5、于腔內(nèi)各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度C、等于腔內(nèi)各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度7、介電常數(shù)為的介質(zhì)區(qū)域V中，靜電荷的體密度為ρ，已知這些電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)為E=E?（x，y，z），設(shè)D=E，下面表達(dá)式中成立的是（C）?00????????????DDED???????8、N個(gè)點(diǎn)電荷組成的系統(tǒng)的能量W=，其中是（B）產(chǎn)生的電位??N1iiiq21?i?A、除i電荷外的其它電荷B、所有點(diǎn)電荷C、外電場(chǎng)在i電荷處9、Z0的半空間中為介電常數(shù)的電介質(zhì)，Z0的半空間中為空氣。已知空

6、氣中的02???靜電場(chǎng)為。則電介質(zhì)中的靜電場(chǎng)為（C）6e2ezx0?????E3e2e.3e4e.6ee.zxzxzx???????????????ECEBEA10、已知點(diǎn)電荷q位于半徑為a的導(dǎo)體球附近，離球心的距離為發(fā)f，當(dāng)導(dǎo)體球的電位為時(shí)的鏡像電荷為（A）A、B、????a40???a30（判斷）1、當(dāng)邊界上的電位或電位的法向?qū)?shù)給定時(shí)，或?qū)w表面電荷分布給定時(shí)，空間的靜電場(chǎng)被唯一性的確定（√）2、當(dāng)點(diǎn)電荷q位于無限大的導(dǎo)體表面附近

7、時(shí)，導(dǎo)體表面上總感應(yīng)電荷等于q（√）3、無源區(qū)中電位分布函數(shù)可能具有最大值或最小值（）4、位于內(nèi)半徑為a的導(dǎo)體球形空腔中的點(diǎn)電荷q受到的電場(chǎng)力大小為22202da4adq）（???F（√）5、真空中靜電場(chǎng)得到的電場(chǎng)強(qiáng)度的無旋性，在介質(zhì)靜電場(chǎng)中仍然成立。（√）0??EV6、一個(gè)點(diǎn)電荷Q放在球形高斯面中心處，如果此電荷被移開原來的球心，但仍在球心，則通過這個(gè)球面的電通量將會(huì)改變（）7、無源區(qū)中，電位應(yīng)滿足的拉普拉斯方程為(√)0r2??）（