x光系列實(shí)驗(yàn) ----對勞厄像實(shí)驗(yàn)的一些探討

1、X光系列實(shí)驗(yàn)以及對勞厄像實(shí)驗(yàn)的一些探討,報(bào)告人：汪秧 0572434,contents,概述勞厄成像實(shí)驗(yàn)操作部分對于勞厄成像的解釋對勞厄成像實(shí)驗(yàn)的改進(jìn)建議總結(jié),1，概述（系列實(shí)驗(yàn)）,1.測定NaCl晶體的晶面間距d 2. 測定x光在鋁中的系數(shù)，并驗(yàn)證朗伯系數(shù) 3.研究x光在材料中的衰減系數(shù)與波長、原子序數(shù)的關(guān)系 4.驗(yàn)證莫塞來定律 5.測定普朗克常數(shù)h（D-H關(guān)

2、系） 6.用電離腔探測x射線 7.拍攝單晶樣品NaCl和LiF勞厄相 8.研究x光在材料中的衰減系數(shù)與原子序數(shù)的關(guān)系 9.用實(shí)驗(yàn)法估測鉬靶x光管發(fā)射k系特征譜所需的最小加速電壓 10.研究鉬靶的k系能級(jí)精細(xì)結(jié)構(gòu) 11.用實(shí)驗(yàn)觀察或驗(yàn)證康普頓效應(yīng),實(shí)驗(yàn)儀器,德國萊寶公司的X射線實(shí)驗(yàn)儀及其附件（包括鉬靶X射線管，G-M計(jì)數(shù)管）注：忽略了康普頓

3、效應(yīng)、光電效應(yīng)等散射效應(yīng)的影響，在吸收相對起主要作用的范圍內(nèi)用吸收系數(shù)近似代替衰減系數(shù)。,3種類型的實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象：康普頓散射實(shí)驗(yàn)測量參數(shù)與理論值或經(jīng)驗(yàn)公式比較：衰減系數(shù)與原子序數(shù)關(guān)系實(shí)驗(yàn)分析型：勞厄成像實(shí)驗(yàn),細(xì)節(jié)決定成敗,精確調(diào)零正確樣品放置選擇合適的測量時(shí)間：研究鉬靶的k系能級(jí)精細(xì)結(jié)構(gòu)與測定NaCl晶體的晶面間距d兩實(shí)驗(yàn)中時(shí)間t的選擇其他,勞厄成像實(shí)驗(yàn)（概述）,非凡的歷史意義： （ x光本性問題，初步揭示晶體結(jié)

4、構(gòu)，驗(yàn)證電子波動(dòng)性等等）現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)和研究中的作用： （ 評定晶體完整性，測量未知晶體單位晶胞形狀大小等等）愛因斯坦：“物理學(xué)最美的實(shí)驗(yàn)”實(shí)驗(yàn)趣味性和探索性,一，勞厄成像實(shí)驗(yàn)操作部分,1，雙面膠粘晶體時(shí)擋住x射線，對比結(jié)果：光子損耗，亮度下降折射作用，但對勞厄斑的相對位置沒有影響,2，LiF的勞厄像出現(xiàn)“陰陽臉” （實(shí)驗(yàn)過程中分析）,A,雙面膠擋掉了一半，或者由于雙面膠厚度差異造成B,膠片與入射x光射線沒有嚴(yán)格垂直造成，入

5、射角不同，對應(yīng)符合bragg衍射波長的光強(qiáng)度有差異C, LiF晶體本身問題,3，測量時(shí)間選擇問題,測量時(shí)間越長，則勞厄像中心點(diǎn)變模糊，同時(shí)周圍勞厄斑點(diǎn)清晰（from實(shí)驗(yàn)室提供參考書：technical documentation for X-ray apparatus by leybold didactic)實(shí)驗(yàn)中對這一點(diǎn)驗(yàn)證的結(jié)果我的解釋,4，zhaoxiang,照相：利用投射勞厄照相，晶體安裝在膠片與射線源之間，而入射光束則在

6、底片上的小孔通過，所記錄的為衍射方向上的衍射光束，用衍射光束的方向來測量未知晶體單位晶胞的的形狀和大小，以測定晶體的取向和評定晶體的完善性。 洗膠片,二，對所得勞厄像的研究,勞厄圖樣分析——1，勞厄斑成因2，勞厄像的對稱性3，勞厄斑強(qiáng)度(a,結(jié)構(gòu)；b,滿足bragg公式波長的入射線強(qiáng)度；c,樣品吸收性）4，勞厄斑形狀：橢圓形（a,入射光發(fā)散;b,樣品表面不平；c,衍射束也底片不嚴(yán)格垂直）,續(xù),圖樣處理——1，勞厄斑對應(yīng)的衍射

7、角計(jì)算我的實(shí)驗(yàn)處理過程中遇到的測量問題改進(jìn)建議2，勞厄斑的指標(biāo)化意義：可以推出勞厄斑對應(yīng)的晶面的（h,k,l）,三，對勞厄成像實(shí)驗(yàn)的改進(jìn)建議,1，兩種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)A,實(shí)驗(yàn)室條件限制無法做背射法成像：a,距離大導(dǎo)致散射明顯；b,膠片打洞B,背射法優(yōu)點(diǎn)：a,用于大塊晶體的定向b,晶體生長和使用晶體材料領(lǐng)域廣泛應(yīng)用C,兩方法得到勞厄像的區(qū)別….橢圓分布和雙曲線分布,繼續(xù)改進(jìn),2，定向：對晶體材料進(jìn)行精確測角定向，符合公式n