復(fù)習(xí)思考題

1、復(fù)習(xí)思考題復(fù)習(xí)思考題20161器件原理中的基本概念空間電荷區(qū)(耗盡區(qū))、隧道效應(yīng)、雪崩倍增效應(yīng)、電流增益、特征截止頻率、厄爾利效應(yīng)，開(kāi)關(guān)時(shí)間、渡越時(shí)間、夾斷電壓、跨導(dǎo)、亞閾值區(qū)、長(zhǎng)溝道器件、緩變溝道近似模型、短溝道效應(yīng)2PN結(jié)的理想IV特性方程、CV特性、擊穿特性3實(shí)際PN結(jié)與理想PN結(jié)相比有哪些修正效應(yīng)4利用PN結(jié)特性制作的一些典型應(yīng)用器件5雙極型晶體管具有放大作用的工作原理及四種工作狀態(tài)6推導(dǎo)雙極型晶體管緩變基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)和基區(qū)少子分

2、布7雙極型晶體管的修正效應(yīng)：基區(qū)擴(kuò)展電阻效應(yīng)（發(fā)射極電流集邊效應(yīng)），Early效應(yīng)（基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)）、Kirk效應(yīng)（基區(qū)展寬效應(yīng)），產(chǎn)生復(fù)合效應(yīng)，大注入效應(yīng)8雙極晶體管的頻率參數(shù)及頻率響應(yīng)的基本限制9開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間定義及描述。10金半接觸類型與特征、肖特基勢(shì)壘二極管與PN結(jié)二極管區(qū)別11JFET、MESFET的工作原理與IV方程的特點(diǎn)12計(jì)算實(shí)際MOS器件的閾值電壓13MOSFET的工作原理與IV特性方程14飽和夾斷、截止夾斷、

3、穿通夾斷的區(qū)別15CMOS電路結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)16短溝道效應(yīng)及速度飽和效應(yīng)、DIBL效應(yīng)、熱載流子效應(yīng)17MOS器件小型化的規(guī)則18比較BJT、MESFET（JFET）、MOSFET的工作原理及優(yōu)缺點(diǎn)復(fù)習(xí)思考題復(fù)習(xí)思考題20161器件原理中的基本概念空間電荷區(qū)(耗盡區(qū))、隧道效應(yīng)、雪崩倍增效應(yīng)、電流增益、特征截止頻率、厄爾利效應(yīng)，開(kāi)關(guān)時(shí)間、渡越時(shí)間、夾斷電壓、跨導(dǎo)、亞閾值區(qū)、長(zhǎng)溝道器件、緩變溝道近似模型、短溝道效應(yīng)2PN結(jié)的理想IV特性方程、

4、CV特性、擊穿特性3實(shí)際PN結(jié)與理想PN結(jié)相比有哪些修正效應(yīng)4利用PN結(jié)特性制作的一些典型應(yīng)用器件5雙極型晶體管具有放大作用的工作原理及四種工作狀態(tài)6推導(dǎo)雙極型晶體管緩變基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)和基區(qū)少子分布7雙極型晶體管的修正效應(yīng)：基區(qū)擴(kuò)展電阻效應(yīng)（發(fā)射極電流集邊效應(yīng)），Early效應(yīng)（基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)）、Kirk效應(yīng)（基區(qū)展寬效應(yīng)），產(chǎn)生復(fù)合效應(yīng)，大注入效應(yīng)8雙極晶體管的頻率參數(shù)及頻率響應(yīng)的基本限制9開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間定義及描述。10金半接觸