高性能低壓ZnO壓敏陶瓷的制備及物性研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩81頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、ZnO壓敏陶瓷因具有優(yōu)良的非線性伏安特性,可用來滅火花、過電壓保護(hù)、避雷、穩(wěn)定電壓等,其市場(chǎng)前景十分廣闊。隨著微電子技術(shù)以及超大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展,為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞,對(duì)低壓、高性能、體積小的壓敏電阻器需求越來越大,低壓ZnO壓敏陶瓷成為壓敏材料研究與應(yīng)用的熱點(diǎn)。相對(duì)于高壓ZnO壓敏電阻,低壓ZnO壓敏電阻的研究及應(yīng)用還十分有限。我國(guó)低壓ZnO壓敏電阻的研究及生產(chǎn)應(yīng)用均落后于發(fā)達(dá)國(guó)家,高性能的低壓ZnO壓敏電阻產(chǎn)品主要

2、依賴于進(jìn)口,因而迫切需要加快低壓ZnO壓敏電阻材料的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究。
   本論文運(yùn)用液相包裹法制備混合均勻、幾乎無團(tuán)聚、粒度分布窄的ZnO復(fù)合粉體,進(jìn)而制備出低壓ZnO壓敏陶瓷;利用XRD、SEM、EDS等技術(shù)對(duì)其微結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,測(cè)量其電學(xué)性質(zhì);分析了燒結(jié)工藝、鉍/鈦含量對(duì)低壓ZnO壓敏陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)及性能的影響。通過研究制備工藝、微結(jié)構(gòu)、電性能之間的關(guān)系,來獲得高性能的低壓ZnO壓敏陶瓷,為工業(yè)化生產(chǎn)提供理論和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。與傳

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論