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文檔簡介
1、ZnO作為第三代寬禁帶半導體材料已經(jīng)得到廣泛研究。通過制備不同形貌 ZnO納米材料、ZnO基復合材料可以充分利用納米材料的優(yōu)點,從而改善 ZnO材料的性能。本論文主要工作內容如下:
(1)采用溶劑熱法,通過調節(jié)水和乙醇混合液的比例制備了多種形貌的ZnO微米結構。從我們的實驗上可以得出結論:ZnO的光學性質與其展現(xiàn)的形貌息息相關,形貌差異能夠引起 ZnO局部的結晶質量不同,界面上的缺陷情況,材料表面的電荷分布等差異,以上因素的協(xié)
2、同作用最終影響了材料的光學性質。
(2)通過簡單無催化的低溫水浴方法合成多枝ZnO納米/微米結構,這種由梭形納米/微米棒主干組成的納米/微米結構周圍圍繞著六個徑向導向的分支。本文分析了其光學性質并詳盡地探討了可能的生長機理。
?。?)利用操作簡單的電化學沉積法制備海膽狀ZnO/In2O3納米復合結構。退火后復合材料結晶性改善的同時,紫外發(fā)光增強,并在443nm觀測到與ZnO/In2O3納米復合結構界面有關的發(fā)光峰。
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