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文檔簡(jiǎn)介
1、本文采用水熱法制備納米ZnO材料。并從形貌控制和發(fā)光機(jī)理兩方面進(jìn)行了討論。 形貌控制: 1.在四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液中成功地在Zn片基底上制成ZnO納米棒陣列,并實(shí)現(xiàn)對(duì)陣列取向性及納米棒直徑的控制; 2.固定TMAH濃度為0.15 mol/L,引入甲醇降低體系反應(yīng)速率,得到了缺陷濃度很小,高質(zhì)量結(jié)晶的ZnO納米棒與納米線的混合結(jié)構(gòu); 3.采用不同的絡(luò)合劑得到的納米ZnO粉體在形貌上存在一定差異。摻
2、雜Sb3+,獲得選擇性的氣敏特性。 發(fā)光機(jī)理: 本文從反應(yīng)式中Zn,O兩種元素的化學(xué)計(jì)量比出發(fā)考慮,設(shè)計(jì)了缺氧與富氧兩種生長(zhǎng)系統(tǒng),以此改變產(chǎn)品中的缺陷組成。光致發(fā)光的結(jié)果證明如下結(jié)論: 1.紫外區(qū)380nm附近的本征發(fā)射強(qiáng)度與納米棒的直徑呈正比關(guān)系; 2.可見(jiàn)光區(qū)525nm附近發(fā)射對(duì)應(yīng)O空位Zn填隙締合缺陷能級(jí)至價(jià)帶的躍遷; 3.由于ZnO呈N型半導(dǎo)體特征,富氧系統(tǒng)得到的產(chǎn)品缺陷組成將變得十分復(fù)雜
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