硅基ZnO納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的制備及光學(xué)性能研究.pdf

1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔。作者簽名：關(guān)于論文使用授權(quán)的說明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使甩學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)

2、權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。保密論文注釋：本學(xué)位論文屬于保密范圍，在土年解密后適用本授權(quán)書。非保密論文注釋：本學(xué)位論文不屬于保密范圍，適用本授權(quán)書。作者簽名：玉如雌日期：二蟄豳擎至肆扯導(dǎo)師簽名：‘盈毒出日期：—功年統(tǒng)_彈園，接要硅基Zn0納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的制備及光學(xué)性

3、能研究摘要氧化鋅(ZnO)作為一種十分重要的ⅡVI族半導(dǎo)體納米材料，在基礎(chǔ)科學(xué)和光電材料應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)引起了人們的廣泛關(guān)注，由于其自身的優(yōu)越性能以及較為廣闊的應(yīng)用前景，對ZnO納米材料結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的進一步研究是有重要意義。本論文針對ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備方法和發(fā)光特性方弼進行研究，主要研究成果如下：一、采用水熱腐蝕技術(shù)將單晶硅片(scSi)制備成具有納米多孔硅柱陣列(NSPA)襯底，其表面的柱狀結(jié)構(gòu)呈多孔狀排布，具有三重結(jié)構(gòu)層次。文中對N

4、SPA襯底進行了表面形貌、元素組成、發(fā)光性能等多方面的系統(tǒng)表征分析。多孔結(jié)構(gòu)作為SCSi上的緩沖層能夠釋放由于晶格失配所帶來的界面應(yīng)力有利于ZnO納米結(jié)構(gòu)的生長，同時增大襯底與后期制備的ZnO的接觸面積進而提高性能。此外考慮到NSPA自身的發(fā)光性能，對其表麗進行稀土銪元素摻雜得到不同予NSPA發(fā)光性能的襯底材料。二、采用氣相輸運法在NSPA襯底表面成功制備得到生長均勻的ZnO納米薄膜結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)的N型ZnO納米半導(dǎo)體和P型的NSPA可形