12688.聯(lián)苯及其取代物研究中關(guān)于qtaim和應(yīng)力張量理論的觀點_第1頁
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1、分類號學(xué)校代碼10542學(xué)號201302121001聯(lián)苯及其取代物研究中關(guān)于QTAIM和應(yīng)力張量理論的觀點Substitutedbiphenyls:AStressTensorandvectorbasedperspectivewithintheQuantumTheoryofAtomsinMolecules(QTAIM)Framework指導(dǎo)教師姓名、職稱—SamanthaJ—enkins教授湖南師范大學(xué)學(xué)位評定委員會辦公室二零一六年四月了

2、真正的三維時代。QTArM理論方法的核心是電荷密度分布p(r),電子密度的梯度矢量場Vp(r)和電子密度的二階導(dǎo)數(shù)Laplacian值V2p(rb)決定了一個分子的電子密度分布的拓撲性質(zhì)。若空間中某一點的電荷密度分布的一階導(dǎo)數(shù)Vp(rb)=0,則該點稱為臨界點,在該點處建立Hessian(3木3)矩陣,可得到三個本征值(九l,如,沁),Laplacian值V2p(rb)被定義為V20(rb)=九l池b。若V2p(rc)O,表示該區(qū)域La

3、placian值為正值,動能占優(yōu)勢,負電荷在該處分散,值越大,化學(xué)鍵的離子性越強;若V2p(rb)接近于0時,一般形成的是較弱的化學(xué)鍵。臨界點可以標記為佃,o),其中,∞代表矩陣的秩,等于臨界點處電荷密度的非零特征值的數(shù)目,在臨界點處國只能等于3符號。代表的是臨界點處三個特征值符號的代數(shù)和。(3,3)稱為核臨界點(ⅣCP),三個特征值均為負值,電荷密度p(r)為局部最大值;(3,一1)稱為鍵臨界點(BCP),三個特征值其中一正兩負,水平

4、面上的電子密廊(r)為最大值,垂直于這個平面的方向上的電子密度p(r)為最小值,鍵臨界點表明兩原子之間的成鍵作用,那么一定存在一條從鍵鞍點出發(fā)連接兩原子的鍵徑;(3,1)稱為環(huán)臨界點,三個特征值一負兩正,水平面上的電子密度p(r)為最小值,垂直于這個平面的方向上的電子密度p(r)為最大值。(3,3)稱為籠臨界點,三個特征值均為正值,電荷密度p(r)為局部最小值。對于一個獨立穩(wěn)定的分子,各臨界點的個數(shù)滿足Poincar6Hopf關(guān)系式:肛

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