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文檔簡(jiǎn)介
1、過(guò)去十年間,全球移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了前所未有的發(fā)展。CMOS工藝雖然直到最近才開(kāi)始被考慮,但是如今正成為產(chǎn)業(yè)界的主流工藝。例如,在90nm工藝條件下,晶體管的截止頻率已經(jīng)高于100 GHz。這就給射頻工程師提供了很多的選擇余地。CMOS工藝在高頻時(shí)主要的問(wèn)題在于較低的跨導(dǎo)值以及信號(hào)通過(guò)導(dǎo)電率較低的硅襯底的損耗。
射頻集成電路的一個(gè)主要應(yīng)用在于無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)?,F(xiàn)今最流行的三個(gè)WLAN標(biāo)準(zhǔn)是IEEE802.11a,802.1
2、1b和802.11g。802.11a標(biāo)準(zhǔn)制定于1999年,它工作于5 GHz無(wú)須申請(qǐng)的美國(guó)國(guó)家信息基礎(chǔ)設(shè)施(UNII)頻段。UNII頻段包括兩個(gè)子頻段:5.15到5.35 GHz,以及5.725到5.825 GHz,兩個(gè)子頻段總共提供300 MHz帶寬以及12個(gè)每個(gè)20 MHz的信道。
本論文主要針對(duì)5.2 GHz802.11a WLAN標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)射頻前端低噪聲放大器。低噪聲放大器的設(shè)計(jì)包括很多不同指標(biāo)間的折衷,例如增益,噪聲系
3、數(shù),功耗,以及輸入輸出阻抗匹配。關(guān)于低噪聲放大器噪聲以及線性度的分析將分別在第四章和第五章給出。區(qū)別于常見(jiàn)的冪級(jí)數(shù)分析法分析低噪聲放大器線性度,這里將采用Volterra級(jí)數(shù)分析法,考慮了高頻時(shí)電容以及電感的記憶性對(duì)低噪聲放大器線性度的影響。最終設(shè)計(jì)的低噪聲放大器噪聲系數(shù)為1.35dB,輸入三階交調(diào)遮斷點(diǎn)IIP3為7.392 dBm,增益為13.8 dB,功耗為14 mW。該低噪聲放大器使用Agilent EEsof的Advanced
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