硼擴(kuò)散片制備技術(shù)研究.pdf

1、本文主要開展了三個方面的研究：硼雜質(zhì)擴(kuò)散的分布規(guī)律研究、硼擴(kuò)散濃度和深度的控制技術(shù)研究和硼擴(kuò)散片幾何參數(shù)的控制技術(shù)研究。
　　 首先對硼雜質(zhì)擴(kuò)散的分布規(guī)律進(jìn)行了研究。在理想狀況下，恒定表面源擴(kuò)散分布為余誤差函數(shù)分布，表面濃度始終保持不變，與時間無關(guān)，只與擴(kuò)散的雜質(zhì)種類和擴(kuò)散的溫度有關(guān)；硼的限定表面源擴(kuò)散為高斯分布。
　　 其次對硼擴(kuò)散濃度和擴(kuò)散深度的控制技術(shù)進(jìn)行了研究。硼擴(kuò)散片的擴(kuò)散層為高濃度擴(kuò)散層，要求擴(kuò)散層濃度不小于

2、5×1019/cm3，擴(kuò)散層深度不小于30μm。因此，需要采用兩步擴(kuò)散工藝，即預(yù)擴(kuò)散和再分布。本文通過采用兩步擴(kuò)散步驟、預(yù)擴(kuò)散采用雙面擴(kuò)散的方式、再分布采用采用密閉碳化硅管、控制擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時間，有效地控制了擴(kuò)散層濃度和結(jié)深。
　　 最后對硼擴(kuò)散片幾何參數(shù)的控制技術(shù)進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)單面擴(kuò)散比雙面擴(kuò)散的彎曲度大，晶錠加工之前的熱處理工藝有助于彎曲度的改善。在單面減薄后對硅片進(jìn)行堿處理工藝，進(jìn)一步改善了擴(kuò)散片的彎曲度。對擴(kuò)散片