版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、ZnO是一種n型直接帶隙半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度Eg為3.37 eV。由于其原材料豐富且無毒,具有高電導(dǎo)和高透過率,并且在H等離子體環(huán)境中性能穩(wěn)定,因此,在太陽電池領(lǐng)域,ZnO作為透明導(dǎo)電氧化物薄膜(transparent conductive oxide-TCO)受到了研究者的廣泛關(guān)注。為進(jìn)一步提高Si薄膜太陽電池的效率和穩(wěn)定性,加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,器件中作為陷光結(jié)構(gòu)的絨面ZnO薄膜前電極和背反射電極顯得尤為重要。本論文利用金屬有機(jī)化學(xué)
2、氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition-MOCVD)技術(shù)在玻璃襯底上生長出了高質(zhì)量的 ZnO-TCO薄膜并應(yīng)用于Si薄膜太陽電池,具體研究內(nèi)容和創(chuàng)新工作如下: 1.在國內(nèi),首次利用MOCVD技術(shù)制備出了應(yīng)用于Si薄膜太陽電池的ZnO-TCO薄膜。詳細(xì)地研究了反應(yīng)壓力、襯底溫度、源材料氣體流量和薄膜厚度等參數(shù)對生長ZnO薄膜的影響。研究結(jié)果表明,合適的低壓~200 Pa有利于制備絨
3、面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜;隨著襯底溫度升高,ZnO薄膜的微觀結(jié)構(gòu)逐漸從球狀晶粒轉(zhuǎn)變成"類金字塔"狀、然后轉(zhuǎn)變成"巖石"狀晶粒,這種微觀結(jié)構(gòu)的演變可歸因于ZnO薄膜的晶體表面能不同。"類金字塔"狀晶粒(襯底溫度Ts=4.23 K)是Si薄膜太陽電池期望得到的陷光結(jié)構(gòu),并且此時薄膜具有較低的電阻率和高的遷移率,1000 nm厚薄膜的平均透過率~85%。DEZn流量主要影響薄膜的生長速率,并且有效調(diào)制薄膜的微觀結(jié)構(gòu);H<,2>O流量主要調(diào)節(jié)薄膜的電學(xué)
4、特性。 2.詳細(xì)地研究了B<,2>H<,6>摻雜氣體(即B摻雜)對ZnO薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明,B摻雜有效地降低了薄膜的電阻率,并且有利于提高薄膜的電學(xué)穩(wěn)定性。同時,B摻雜可以影響不同初始取向的ZnO薄膜的性能。ZnO薄膜的B摻雜影響了薄膜的微觀結(jié)構(gòu),如在(002)峰晶體取向摻雜可降低其衍射強(qiáng)度,薄膜晶粒尺寸變??;在(101)峰晶體取向摻雜可誘導(dǎo)出"類金字塔"狀絨面結(jié)構(gòu)(110)峰晶體取向。透過率測試
5、表明,光學(xué)性能上的明顯變化是光學(xué)帶隙展寬,可歸因于Burstein-Moss效應(yīng);通過光致發(fā)光(PL)測試,有力地說明了B摻雜提高了ZnO薄膜的晶體質(zhì)量,大幅度降低了與O缺陷等相關(guān)的發(fā)光峰,此時薄膜的導(dǎo)電機(jī)制主要是B雜質(zhì)導(dǎo)電占主導(dǎo)地位,而不是ZnO薄膜的本征缺陷導(dǎo)電。B摻雜ZnO薄膜(ZnO:B)電阻率可達(dá)到1.2×10<'-3>Ωcm,遷移率30.5 cm<'2>/Vs,平均透過率85%。473 K退火溫度下H<,2>低壓退火可有效提
6、高薄膜的電子遷移率,改善薄膜的電阻率。 3.提出了種子層誘導(dǎo)的兩步法生長ZnO薄膜的思想。利用電子束蒸發(fā)技術(shù)和MOCvD技術(shù)分別制備ITO種子層和ZnO薄膜,研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),對比于直接生長絨面MOCVD-ZnO薄膜,兩步生長技術(shù)一方面改善了薄膜的電阻率,另一方面在更低生長溫度下,可誘導(dǎo)出"類金字塔"狀的絨面結(jié)構(gòu)特征;ITO種子層的應(yīng)用降低了glass/ZnO界面處ZnO非晶層的厚度,促進(jìn)了ZnO薄膜的晶化。 4.初步提出并
7、研究了絨面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜的CH<,3>COOH濕法刻蝕技術(shù)。它可以調(diào)制ZnO薄膜的粗糙度和晶粒形狀,即表面改性,使薄膜表面趨于"柔和",有望更好地應(yīng)用于μc-Si薄膜太陽電池前電極。 5.將MOCVD技術(shù)制備出的絨面ZnO前電極應(yīng)用于a-Si薄膜太陽電池,其電池性能與日本Asahi U-type SnO<,2>薄膜相當(dāng);另外,ZnO薄膜應(yīng)用于背反射電極,可有效提高短路電流密度2-5 mA/cm<'2>,從而極大地提高了電池的轉(zhuǎn)換
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 透明導(dǎo)電薄膜ZnO-Ga性能研究及其在太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- MOCVD技術(shù)制備的BZO薄膜及其在太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- 納米硅薄膜的制備及其在太陽電池上的應(yīng)用研究.pdf
- MOCVD系統(tǒng)在GaAs太陽電池中的應(yīng)用研究.pdf
- 基于MOCVD-ZnO的電極研究及在硅薄膜太陽電池中的應(yīng)用.pdf
- 磁控濺射技術(shù)生長氫化Ga摻雜ZnO-TCO薄膜及其太陽電池應(yīng)用研究.pdf
- 液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽電池上的應(yīng)用研究.pdf
- ITO薄膜的制備與研究及其在HIT太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- 納米結(jié)構(gòu)在太陽電池上的新應(yīng)用研究.pdf
- 硫化鎘薄膜的制備及其在銅銦鎵硒薄膜太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- 器件級BZO制備及其在太陽電池上研究應(yīng)用.pdf
- p-μc-SiC:H薄膜材料的研究及其在太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- 高壓沉積非晶硅鍺薄膜及在太陽電池上的應(yīng)用
- 高壓沉積非晶硅鍺薄膜及在太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- 低溫生長SiO-,2-鈍化膜及其在太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- ITO薄膜及其在柔性硅基薄膜太陽電池中的應(yīng)用研究.pdf
- 磁控濺射法生長ito薄膜及其在hit太陽電池中的應(yīng)用
- ITO透明導(dǎo)電膜的性能研究及其在nip結(jié)構(gòu)硅基薄膜太陽電池上的應(yīng)用.pdf
- 薄膜太陽電池的研究.pdf
- 磁控濺射法生長ITO薄膜及其在HIT太陽電池中的應(yīng)用.pdf
評論
0/150
提交評論