液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽(yáng)電池上的應(yīng)用研究.pdf

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽(yáng)電池上的應(yīng)用研究專(zhuān)業(yè)：光學(xué)工程作者：陳燕琳導(dǎo)師：沈文忠教授上海交通大學(xué)物理與天文系太陽(yáng)能研究所人工結(jié)構(gòu)及量子調(diào)控教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室凝聚態(tài)光譜與光電子物理實(shí)驗(yàn)室2016年1月上海交通大學(xué)碩丨:論文中文摘要液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽(yáng)電池上的應(yīng)用研究摘要表面鈍化是高效太陽(yáng)電池的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)?，F(xiàn)今，在光伏行業(yè)中廣泛應(yīng)用的鈍化技術(shù)有等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氮化硅PECVDSiNx原子層沉積氧化鋁AL

2、DA1203，熱氧化硅ThermalgrownSi02等等。盡管它們?cè)诠鹛?yáng)電池上的鈍化性能很優(yōu)越，但制備它們都需要使用昂貴的設(shè)備并且后兩者的生長(zhǎng)速率較慢。本論文中，我們用液相沉積的方法制備了Si〇2薄膜。這種方法與熱氧化硅方法相比具有操作簡(jiǎn)單，低溫生長(zhǎng)，沉積速率快的優(yōu)點(diǎn)。液相沉積8丨02薄膜均勻致密，與襯底的覆蓋性良好。我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)液相沉積8丨〇2的生長(zhǎng)參數(shù)包括氟硅酸（H2SiF6)的濃度，溶液的沉積溫度和沉積時(shí)間都對(duì)薄膜的生長(zhǎng)速率有

3、很大影響，并且沉積溫度在一定程度上影響著薄膜的致密性。我們也深入研究了液相沉積8丨02薄膜在硅片上的鈍化效果。剛沉積的Si〇2薄膜對(duì)硅片的鈍化質(zhì)量不佳，通過(guò)對(duì)其進(jìn)行沉積后退火處理，Si〇2薄膜在硅片上的鈍化效果獲得了顯著提高。通過(guò)分析液相沉積Si〇2薄膜鈍化的n型和p型硅片的少子壽命和表面復(fù)合速率，我們發(fā)現(xiàn)化學(xué)鈍化和場(chǎng)效應(yīng)鈍化機(jī)制同時(shí)存在。沉積參數(shù)雖對(duì)鈍化效果影響甚微，但是我們需要兼顧沉積速率和制備成本，慎重選擇適當(dāng)?shù)某练e參數(shù)。從沉積速