2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、微晶硅薄膜材料具有電導(dǎo)率高、光照穩(wěn)定性好和較寬的光譜響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),是近年來熱門的太陽電池材料。本文采用甚高頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(VHF-PECVD)制備微晶硅薄膜研究了微晶硅薄膜的制備工藝,并對(duì)微晶硅太陽電池的制備進(jìn)行了初步研究,研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:
　　研究了硅烷濃度、襯底加熱溫度、輝光功率和沉積時(shí)間對(duì)微晶硅薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。研究表明,隨硅烷濃度增加,薄膜的暗電導(dǎo)降低,光敏性增加,晶化程度下降,硅烷濃度為4％~5%的

2、區(qū)間是微晶硅/非晶硅的過渡區(qū);襯底加熱溫度增加,薄膜的暗電導(dǎo)增加,光敏性減小,晶化程度上升,襯底加熱溫度為500℃時(shí)薄膜的晶化程度較好;輝光功率增加,薄膜暗電導(dǎo)增加,光敏性減小,薄膜的晶化程度上升;微晶硅薄膜的生長(zhǎng)隨沉積時(shí)間的增加表現(xiàn)出不均勻性,沉積速率隨時(shí)間增加而加快,暗電導(dǎo)增加,光敏性下降,晶化程度上升。
　　對(duì)單結(jié)pin型微晶硅太陽電池的制備進(jìn)行初步研究。通過工藝優(yōu)化,獲得VOC=0.403V,JSC=27.45mA/cm2

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