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1、近年來(lái)碳納米管(CNT)已經(jīng)成為納米材料領(lǐng)域研究的一個(gè)熱點(diǎn)。因?yàn)樗哂性S多獨(dú)特的物理及化學(xué)性質(zhì),碳納米管在許多領(lǐng)域都存在著極高的科學(xué)研究?jī)r(jià)值和廣泛的應(yīng)用潛力,是復(fù)合材料理想的填充增強(qiáng)材料。作為導(dǎo)電摻雜劑,可以使復(fù)合材料的電導(dǎo)率提高到碳納米管本征導(dǎo)電水平。目前使碳納米管在復(fù)合材料中無(wú)法廣泛應(yīng)用的原因主要有兩點(diǎn):1.碳納米管的本征導(dǎo)電率不高。2.碳納米管因管與管之間的范德華力使其在幾乎所有的有機(jī)溶劑中不溶,在復(fù)合材料基體中也難以分散,碳納米
2、管表面光滑,和基體的界面作用力較弱,不能實(shí)現(xiàn)材料所受應(yīng)力的有效轉(zhuǎn)移。為解決上述問(wèn)題,本文主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行研究: 1.多壁碳納米管的溴吸附通過(guò)溴蒸氣的吸附,提高多壁碳納米管(MWNT)的本征導(dǎo)電性能,加溴使多壁碳納米管的電導(dǎo)率可以提高三倍。通過(guò)拉曼光譜,紫外可見(jiàn)光譜,紅外吸收光譜,近紅外吸收光譜和X光電子能譜等方法研究,結(jié)果表明:溴與多壁碳納米管之間存在共軛作用,使多壁碳納米管表面的電子云分布發(fā)生了變化。 2.溴吸附
3、提高碳納米管電導(dǎo)率的原因及導(dǎo)電機(jī)理研究X光電子能譜,近紅外光譜,紫外光譜,拉曼光譜表明多壁碳納米管與溴之間存在共軛作用,這種作用導(dǎo)致多壁碳納米管上的π電子向溴偏移,產(chǎn)生空穴載流子。利用半導(dǎo)體能帶圖,提出加溴多壁碳納米管微觀體系模型來(lái)研究溴對(duì)多壁碳納米管的作用及導(dǎo)電機(jī)理。 3.碳納米管在聚合物基體中的分散用溴作為摻雜劑,通過(guò)多壁碳納米管吸附溴提高其電導(dǎo)率,用聚苯乙烯對(duì)加溴MWNT進(jìn)行修飾改性。用透射電鏡,掃描電鏡等分析研究,表明在
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