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1、ITO靶材是電子信息產(chǎn)業(yè)中顯示器鍍膜用電極材料,工業(yè)上采用ITO靶材磁控濺射方法制備ITO薄膜,但是,靶材濺射鍍膜過(guò)程中利用率低,加上靶材加工過(guò)程中產(chǎn)生的邊角料和切屑,使其利用率僅達(dá)到30%。因此利用廢靶材回收金屬銦成為再生銦的主要來(lái)源,回收處理ITO廢靶材具有重要的理論意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。金屬銦主要用來(lái)制造半導(dǎo)體化合物,是微電子學(xué)儀器的基礎(chǔ)材料,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,對(duì)金屬銦的純度的要求越來(lái)越高。 本文研究了采用廢ITO靶材回
2、收制備金屬銦工藝中的主要影響因素,結(jié)果表明,當(dāng)鹽酸濃度為6mol/L、用量為理論用量的4倍,溫度90℃時(shí),靶材溶解迅速完全;熔煉最佳溫度400℃。最佳電解工藝條件為:pH=2-3,一次電解槽電壓300-350mV,二次電解槽電壓260-300mV,極距60-80mm,電流密度60-80A·m<'-2>,電解溫度20-30℃。得到金屬銦純度99.9956%,符合銦錠國(guó)標(biāo)YS/T257-1998要求,銦總回收率91%。整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程具有能耗低
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