絡鹽法制備納米銦錫氧化物（ITO）粉末.pdf

1、銦錫氧化物(Indium-Tin-Oxide，簡稱ITO)或摻錫氧化銦(Tin-Doped IndiuinOxide)是一種重摻雜、高簡并N型復合氧化物半導體，是一種極具發(fā)展?jié)摿Φ墓怆娮有畔⒉牧?。ITO薄膜具有導電性好、對可見光透明、對紅外光反射性強，化學性質(zhì)穩(wěn)定等特性，使其在平板顯示、太陽能電池、屏蔽電磁波等方面獲得日益廣泛的應用。伴隨著液晶顯示的發(fā)展，用于透明電極的ITO薄膜需求量急劇增加。當今工業(yè)化生產(chǎn)中研究最多、最成熟、應用最廣

2、的一項成膜技術(shù)是將銦錫氧化物粉末制成靶材，然后用直流磁控濺射法將靶材制成ITO薄膜。對于制備靶材所用的ITO粉末，要求十分嚴格，不僅要純度高，而且要粒度細、性能好，因而高分散、高純度和組分可控的、粒度足夠細的ITO粉末的制備是整個工藝的關(guān)鍵之一。 目前發(fā)展的ITO納米粉末制備方法很多，如化學沉淀法、減壓.揮發(fā)氧化法、噴霧燃燒法、噴霧熱分解法等，但是還未有一種方法真正實現(xiàn)了大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。其中化學沉淀法因其工藝周期短，生產(chǎn)設備

3、簡單，較適合于大規(guī)模生產(chǎn)而被廣泛采用。關(guān)于這方面的研究報道很多，但是未見有關(guān)于此制備過程中形成了絡離子及其對納米ITO粉末的形成影響的報道。 本論文以純銦、SnCl<,4>·5H<,2>O為原料，采用我們首次提出的絡鹽法制備了ITO納米粉末，其一次晶粒平均尺寸為14nm，費氏粒度為148.5nm，比表面積為38.49m<'2>/g。通過對銦、錫絡合鹽晶體的合成研究，證實了絡離子的存在，主要研究了絡離子對納米ITO粉末粒徑的影響，

4、并首次揭示和提出了絡離子對ITO粉末粒徑的影響原理。通過XRD、SEM和EDS對制備的絡合鹽晶體進行了分析和表征，用激光粒度儀、XRD、BET、FT-IR和DSC-TG對制備的ITO粉末及其前驅(qū)體進行了分析和表征。研究結(jié)果表明：絡離子的存在，降低了反應初始溶液中游離：In<'3+>和Sn<'4+>的濃度，使得產(chǎn)物的一次粒徑的可調(diào)控性增強而易于得到納米級的ITO粉末；這不但有利于納米級ITO粉末的產(chǎn)生，而且可以在一定的濃度范圍內(nèi)通過增加反