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文檔簡介
1、本論文主要對磷化鐵(FeP<,2>)氣氛和磷(P)氣氛下退火得到的InP材料經(jīng)電子輻照前后的電學參數(shù)和缺陷變化進行了研究。與輻照前相比，輻照后樣品的載流子濃度和遷移率產(chǎn)生顯著變化，這與輻照產(chǎn)生缺陷的電學補償作用有關。FeP<,2>氣氛下退火得到的低阻InP材料的DLTS結果表明，輻照抑制了一些缺陷，但同時也產(chǎn)生了新的缺陷；在同樣的條件下，原生InP樣品中的電子輻照缺陷相對較為穩(wěn)定，而經(jīng)FeP<,2>氣氛下退火后的InP中的電子輻照缺陷恢
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