大直徑CZ-Si中流動圖形缺陷微觀形貌及其高溫快速退火行為的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩64頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、本文研究了大直徑直拉硅單晶中的原生微缺陷-流動圖形缺陷(flow pattern defects,FPDs).分析了FPDs的微觀形貌,及其在Secco腐蝕液中的演變過程;對輕摻B、重摻Sb硅片在Ar,H<,2>,N<,2>,N<,2>/O<,2>(3﹪)不同氣氛下進行高溫快速退火(RTA),研究了FPDs的高溫退火行為及減少FPDs的快速退火工藝.實驗結(jié)果表明:FPDs外部輪廓為拋物線型,內(nèi)部存在臺階結(jié)構(gòu).利用原子力顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn)位于

2、FPDs端部的空洞結(jié)構(gòu)有單型和雙型兩種類型,并首次發(fā)現(xiàn)空洞兩側(cè)有對稱凸起結(jié)構(gòu).提出了一個拋物線模型,首次對FPDs在Secco腐蝕液中的演變過程進行了合理的解釋.硅片經(jīng)1100℃以上高溫RTA處理后,FPDs明顯減少,其密度隨著退火時間的延長而不斷降低.高溫RTA處理過程中FPDs端部空洞微結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,本文對其湮滅機理進行了詳細探討.氫氣高溫RTA處理,是減少FPDs的最有效退火工藝,氬氣次之.首次對大直徑重摻Sb硅片中的FPDs進行

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論