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1、InP以其眾多的優(yōu)越特性使之在許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用.摻硫N型InP材料用于激光器、發(fā)光二極管、光放大器、光纖通信等光電領(lǐng)域.半絕緣(SI)InP主要用于微電子器件和光電集成.為了降低成本,適應(yīng)新型器件制造的要求我們開展了高質(zhì)量Φ4英寸(直徑100mm)InP單晶生長和性質(zhì)研究.首先解決大容量直接合成技術(shù),其次解決大直徑單晶生長的關(guān)鍵技術(shù),保證了一定的成晶率.并采用降低溫度梯度等措施,降低位錯密度,提高晶體完整性.制備出的直徑4″摻硫
2、InP整錠〈100〉InP單晶和單晶片.經(jīng)過測試其平均EPD小于5×104cm-2,載流子濃度為3.6×1018cm-3.通過對高壓液封直拉法單晶生長過程的熱傳輸和影響熔體溫度起伏的幾個關(guān)鍵因素的分析,研究適合生長〈100〉晶向磷化銦單晶的熱場系統(tǒng),有效地降低了孿晶產(chǎn)生的幾率,重復(fù)地生長出了整錠摻硫和摻鐵的、直徑為3英寸和4英寸的〈100〉磷化銦單晶.測試結(jié)果表明我們生長〈100〉磷化銦單晶的熱場在生長過程中使晶錠保持較為平坦的固液界面
3、,這樣可穩(wěn)定地獲得具有低的缺陷密度和良好的電學(xué)均勻性的高質(zhì)量磷化銦單晶材料.該文對影響材料成晶的放肩角進行了研究,一般生長大直徑單晶采用大于70°或平放肩技術(shù)都可以有效的避免孿晶的產(chǎn)生.該工作還用一種直接磷注入合成和LEC晶體生長方法制備InP多晶并連續(xù)生長非摻雜和摻鐵InP單晶.該文討論了合成InP多晶和生長InP單晶的工藝技術(shù).高純InP是制備高質(zhì)量InP單晶特別是低鐵含量的半絕緣和非摻雜退火半絕緣InP單晶的前提條件.用這種方法得
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