超高密度垂直磁記錄用CoPt薄膜的研究.pdf

1、如今人們對記錄密度的要求越來越高，而目前傳統(tǒng)的水平磁記錄技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了技術(shù)上的物理極限，為了提供更大容量的信息存儲系統(tǒng)來繼續(xù)助推信息化社會的發(fā)展，人們把主要希望寄托在了垂直磁記錄技術(shù)之上。可以用來作為垂直磁記錄介質(zhì)具有很高的磁晶各向異性的L10-CoPt合金薄膜越來越受到人們的關(guān)注。其中關(guān)鍵的因素就是要形成Co原子和Pt原子延c軸交替排列的有序的L10相。 在本研究中，制備了一系列不同Co含量的CoPt合金薄膜，并對其晶體結(jié)構(gòu)以

2、及磁性能作了研究，此外為了提高CoPt合金薄膜的性能我們主要研究了3種不同摻雜物對CoPt合金的晶體結(jié)構(gòu)以及磁性能的影響，并且得到如下結(jié)論： 1.當(dāng)Co含量為55at.％時薄膜最容易形成超晶格結(jié)構(gòu)，通過熱處理薄膜磁性由軟磁性向硬磁性轉(zhuǎn)化，并且CoPt合金的有序化程度隨著熱處理溫度的升高而增加。具有超晶格結(jié)構(gòu)的薄膜具有最好的硬磁特性。 2.Ag的添加有效的提高了薄膜垂直方向的矯頑力，形成垂直方向的磁性易軸取向，當(dāng)Ag添加量

3、為10％左右的時候有助于薄膜中CoPt晶粒的(001)垂直于膜面的擇優(yōu)取向，當(dāng)Ag添加量超過20％的時候薄膜變?yōu)閾駜?yōu)的(111)取向，導(dǎo)致整體磁性能下降。 3.Si02添加可以有效抑制CoPt晶粒的生長、將CoPt合金的晶粒大小從50nm左右減小到12nm左右，SiO2的摻雜提高了CoPt合金的有序化溫度，含20vol.％SiO2的CoPt合金薄膜的有序化溫度明顯升高到了 4.發(fā)現(xiàn)Cu添加可以明顯地降低CoPt合金的熱處