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1、21世紀(jì)是經(jīng)濟(jì)信息化、信息數(shù)字化的高科技時(shí)代,信息量的爆炸式增長(zhǎng)對(duì)信息存儲(chǔ)的發(fā)展提出了越來(lái)越高的要求。超高密度信息存儲(chǔ)材料和技術(shù)的研究不僅具有重要的科學(xué)價(jià)值,而且具有重大的應(yīng)用前景。本論文從分子設(shè)計(jì)和綜合利用材料的多種物理特性出發(fā),考察了一類(lèi)有機(jī)非線性光學(xué)材料的雙穩(wěn)態(tài),并利用STM對(duì)該類(lèi)有機(jī)分子的超高密度信息存儲(chǔ)特性進(jìn)行了探索。
主要工作如下:
1、通過(guò)真空沉積的方法制備了一種非線性光學(xué)材料(E)-1-二茂鐵
2、基-2-(1-甲基-4-吡啶基)乙烯碘鹽薄膜,利用Keithley4200半導(dǎo)體系統(tǒng)測(cè)試了該薄膜的宏觀電學(xué)特性,其宏觀Ⅰ-Ⅴ曲線表明該薄膜在室溫條件下就具有良好的電學(xué)雙穩(wěn)態(tài)。為證實(shí)該非線性光學(xué)材料確能用于電學(xué)性質(zhì)的信息存儲(chǔ),我們運(yùn)用掃描隧道顯微鏡(STM)在該化合物的薄膜上成功地實(shí)現(xiàn)了信息點(diǎn)的寫(xiě)讀,信息點(diǎn)的平均點(diǎn)徑約為1.5nm。為了進(jìn)一步理解該分子薄膜信息記錄點(diǎn)寫(xiě)入的機(jī)理,對(duì)薄膜存儲(chǔ)信息前后的局域Ⅰ-Ⅴ特性進(jìn)行了測(cè)量,結(jié)果顯示施加脈沖
3、電壓后,薄膜發(fā)生了導(dǎo)電狀態(tài)的轉(zhuǎn)變,且據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn),我們認(rèn)為這是由于施加脈沖電壓部位發(fā)生了部分的分子間電荷轉(zhuǎn)移造成的。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,非線性光學(xué)材料(E)-1-二茂鐵基-2-(1-甲基-4-吡啶基)乙烯碘鹽薄膜具有良好的電學(xué)雙穩(wěn)態(tài),是一種具有潛力的超高密度信息存儲(chǔ)材料。從本實(shí)驗(yàn)還可以看出,電荷轉(zhuǎn)移型的信息存儲(chǔ)材料與該類(lèi)型的非線性光學(xué)材料具有相關(guān)性,從而為設(shè)計(jì)和尋找多功能信息存儲(chǔ)材料提供了新的思路2、通過(guò)經(jīng)典的縮合反應(yīng)合成了含
4、二茂鐵基團(tuán)的西佛堿(1-二茂鐵基-2-(4-對(duì)硝基苯基)亞胺),并通過(guò)真空沉積的方法制備了其薄膜,觀察了該薄膜形貌,測(cè)定了其電學(xué)特性。結(jié)果發(fā)現(xiàn),該薄膜具有良好的電學(xué)雙穩(wěn)態(tài)。最后利用STM成功地在該薄膜上寫(xiě)入了納米級(jí)信息點(diǎn)。這一結(jié)果表明,該種西佛堿可開(kāi)發(fā)為一種具有潛力的超高密度信息存儲(chǔ)材料。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該種西佛堿材料薄膜具有良好的電學(xué)雙穩(wěn)態(tài),是一種具有潛力的超高密度信息存儲(chǔ)材料。從本實(shí)驗(yàn)還可以看出,在電荷轉(zhuǎn)移型的信息存儲(chǔ)
5、材料中,以二茂鐵作為電子給體的該種材料具有良好的電學(xué)雙穩(wěn)態(tài)和更好的穩(wěn)定性,從而也為設(shè)計(jì)和尋找性能優(yōu)異的電子給受體型信息存儲(chǔ)材料提供了新的思路。3、從引起或影響材料電、光、磁雙穩(wěn)態(tài)的本質(zhì)出發(fā)選擇了一種具有良好的非線性光學(xué)特性的金屬有機(jī)化合物作為我們的材料分子,該化合物分子以磁性的二茂鐵基團(tuán)為電子給體,1-甲基吡啶作電子受體。我們對(duì)該化合物薄膜電學(xué)及磁學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)該化合物薄膜在室溫下同時(shí)具有電學(xué)及磁學(xué)雙穩(wěn)態(tài)。而且,兩種穩(wěn)態(tài)間的轉(zhuǎn)變
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