高密度非揮發(fā)存儲體系的建模與設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以下一代非揮發(fā)存儲器的高密度解決方案為中心,針對相變存儲器和阻變存儲器分別進行了探索性的研究。在評估了相變單元多值存儲的可行性后,我們提出并實現(xiàn)了基于物理機理的多值相變存儲單元HSPICE模型；在高密度的相變存儲陣列中,我們提出了對稱位線補償、步進字線電壓補償、反饋模式字線電壓補償?shù)戎荚诮鉀Q位線寄生電阻電壓降問題的創(chuàng)新方案。為了驗證阻變材料在高密度存儲陣列及外圍電路中工作的有效性,我們提出并實現(xiàn)了基于SCLC(空間電荷限制電流)機理

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