垂直磁記錄介質(zhì)薄膜的制備及其晶體結(jié)構(gòu)與磁性研究.pdf

1、在當(dāng)今飛速發(fā)展的數(shù)字化、信息化時代，需要保存和處理大量計算數(shù)據(jù)或各類多媒體信息，這就要求信息存儲介質(zhì)不但具有高密度、大容量、高速度，而且還要低成本、微型化的特點(diǎn)，產(chǎn)品應(yīng)保持不斷更新。磁記錄具有記錄密度高、穩(wěn)定可靠、可反復(fù)使用、信息寫入與讀出速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、電子計算技術(shù)、軍事、航天及日常生活等方面，從而成為當(dāng)今信息社會必不可少的信息記錄方式。
　　 目前，縱向磁記錄應(yīng)用較廣，但由于較高的自退磁效應(yīng)，使高密度記錄介質(zhì)的

2、進(jìn)一步提高縱向磁記錄模式的記錄密度是比較困難的。而自退磁效應(yīng)對于垂直磁記錄模式是可以克服的，進(jìn)而為提高磁記錄密度提供了出路。
　　 在垂直磁記錄材料中，薄膜材料因?yàn)槠渚w結(jié)構(gòu)和磁性等方面的優(yōu)勢成為磁記錄領(lǐng)域中研究的熱點(diǎn)。在薄膜材料中，CoCr合金薄膜尤其是摻雜的薄膜更是成為重中之重。
　　 本文在室溫下應(yīng)用對向靶直流磁控濺射法制備了不同系列C/CoCrTa/X (X=Cr、Ti) 樣品，采用X射線衍射儀測量了樣品的晶體結(jié)